Kezdőlap
Termékek
Gyártók
A DiGi-ról
Lépjen kapcsolatba velünk
Blogok és bejegyzések
Árajánlatkérés
Hungarian
Bejelentkezés
Szelektív nyelv
Jelenlegi nyelv az Ön választása:
Hungarian
Kapcsoló:
Angol
Európa
Egyesült Királyság
Kongói Demokratikus Köztársaság
Argentína
Törökország
Románia
Litvánia
Norvégia
Ausztria
Angola
Szlovákia
LTALY
Finnország
Fehéroroszország
Bulgária
Dánia
Észtország
Lengyelország
Ukrajna
Szlovénia
Cseh
Görög
Horvátország
Izrael
Montenegró
Orosz
Belgium
Svédország
Szerbia
Baszk
Izland
Bosznia
Magyar
Moldova
Németország
Hollandia
Írország
Ázsia / Csendes-óceán
Kína
Vietnam
Indonézia
Thaiföld
Laosz
Filippínó
Malajzia
Korea
Japán
Hongkong
Tajvan
Szingapúr
Pakisztán
Szaúd-Arábia
Katar
Kuvait
Kambodzsa
Mianmar
Afrika, India és Közel-Kelet
Egyesült Arab Emírségek
Tádzsikisztán
Madagaszkár
India
Irán
Franciaország
Dél-Afrika
Egyiptom
Kenya
Tanzánia
Ghána
Szenegál
Marokkó
Tunézia
Dél-Amerika / Óceánia
Új-Zéland
Portugália
Brazília
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolívia
Uruguay
Spanyolország
Paraguay
Ausztrália
Észak-Amerika
Egyesült Államok
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexikó
A DiGi-ról
Rólunk
Rólunk
Tanúsítványaink
Bevezetés
Miért DiGi
Szabályzat
Minőségi Politika
Felhasználási feltételek
RoHS megfelelőség
Visszatérési folyamat
Források
Termék kategóriák
Gyártók
Blogok és bejegyzések
Szolgáltatások
Minőségi garancia
Fizetési Mód
Globális Szállítás
Szállítási díjak
GYIK
Gyártó Termékszám:
QS8M31TR
Product Overview
Gyártó:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cikkszám:
QS8M31TR-DG
Leírás:
MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A TSMT8
Részletes leírás:
Mosfet Array 60V 3A (Ta), 2A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount TSMT8
Készlet:
3630 Új, eredeti, készleten lévő db
13526109
Ajánlatkérés
Mennyiség
Minimum 1
*
Cég
*
Kapcsolattartó Név
*
Telefon
*
E-mail
Szállítási cím
Üzenet
(
*
) kötelező
24 órán belül válaszolunk Önnek
KÜLDÉS
QS8M31TR Műszaki jellemzők
Kategória
FET-ek, MOSFET-ek, FET, MOSFET tömbök
Gyártó
ROHM Semiconductor
Csomagolás
Tape & Reel (TR)
Sorozat
-
Termék állapota
Active
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguráció
N and P-Channel
FET funkció
-
Leeresztés a forrásfeszültségig (Vdss)
60V
Áram - folyamatos leeresztés (id) @ 25°C
3A (Ta), 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
112mOhm @ 3A, 10V, 210mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (max) @ azonosító
2.5V @ 1mA, 3V @ 1mA
Kapu töltése (qg) (max) @ vgs
4nC @ 5V, 7.2nC @ 5V
Bemeneti kapacitás (Ciss) (max) @ Vds
270pF @ 10V, 750pF @ 10V
Teljesítmény - Max
1.1W (Ta)
Üzemi hőmérséklet
150°C (TJ)
Szerelés típusa
Surface Mount
Csomag / tok
8-SMD, Flat Lead
Beszállítói eszközcsomag
TSMT8
Alap termékszám
QS8M31
Műszaki adatlap és dokumentumok
Adatlapok
QS8M31TR
További információk
Standard csomag
3,000
Egyéb nevek
QS8M31DKR
QS8M31CT
Környezeti és Exportosztályozás
RoHS-állapot
ROHS3 Compliant
Nedvességérzékenységi szint (MSL)
1 (Unlimited)
REACH státusz
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Tanúsítvány
Kapcsolódó Termékek
QH8K26TR
MOSFET 2N-CH 40V 7A TSMT8
SH8J65TB1
MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOP
QS8J4TR
MOSFET 2P-CH 30V 4A TSMT8
QH8M22TCR
MOSFET N/P-CH 40V 4.5A/2A TSMT8