Gyártó Termékszám:
QS8J4TR
Product Overview
Gyártó:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cikkszám:
QS8J4TR-DG
Leírás:
MOSFET 2P-CH 30V 4A TSMT8
Részletes leírás:
Mosfet Array 30V 4A 550mW Surface Mount TSMT8
Készlet:
8078 Új, eredeti, készleten lévő db
13526152
Ajánlatkérés
Mennyiség
Minimum 1
Minimum 1
(*) kötelező
24 órán belül válaszolunk Önnek
24 órán belül válaszolunk Önnek
KÜLDÉS
QS8J4TR Műszaki jellemzők
Kategória
FET-ek, MOSFET-ek, FET, MOSFET tömbök
Gyártó
ROHM Semiconductor
Csomagolás
Tape & Reel (TR)
Sorozat
-
Termék állapota
Active
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguráció
2 P-Channel (Dual)
FET funkció
Logic Level Gate
Leeresztés a forrásfeszültségig (Vdss)
30V
Áram - folyamatos leeresztés (id) @ 25°C
4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
56mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (max) @ azonosító
2.5V @ 1mA
Kapu töltése (qg) (max) @ vgs
13nC @ 10V
Bemeneti kapacitás (Ciss) (max) @ Vds
800pF @ 10V
Teljesítmény - Max
550mW
Üzemi hőmérséklet
150°C (TJ)
Szerelés típusa
Surface Mount
Csomag / tok
8-SMD, Flat Lead
Beszállítói eszközcsomag
TSMT8
Alap termékszám
QS8J4
Műszaki adatlap és dokumentumok
Cikkszámozási útmutató
Megbízhatósági dokumentumok
Tervezési erőforrások
További információk
Standard csomag
3,000
Egyéb nevek
QS8J4CT
QS8J4DKR
Környezeti és Exportosztályozás
RoHS-állapot
ROHS3 Compliant
Nedvességérzékenységi szint (MSL)
1 (Unlimited)
REACH státusz
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Tanúsítvány
Kapcsolódó Termékek
QH8M22TCR
MOSFET N/P-CH 40V 4.5A/2A TSMT8
US6M2GTR
MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TUMT6
QS8M13TCR
MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A TSMT8
