Kezdőlap
Termékek
Gyártók
A DiGi-ról
Lépjen kapcsolatba velünk
Blogok és bejegyzések
Árajánlatkérés
Hungarian
Bejelentkezés
Szelektív nyelv
Jelenlegi nyelv az Ön választása:
Hungarian
Kapcsoló:
Angol
Európa
Egyesült Királyság
Kongói Demokratikus Köztársaság
Argentína
Törökország
Románia
Litvánia
Norvégia
Ausztria
Angola
Szlovákia
LTALY
Finnország
Fehéroroszország
Bulgária
Dánia
Észtország
Lengyelország
Ukrajna
Szlovénia
Cseh
Görög
Horvátország
Izrael
Montenegró
Orosz
Belgium
Svédország
Szerbia
Baszk
Izland
Bosznia
Magyar
Moldova
Németország
Hollandia
Írország
Ázsia / Csendes-óceán
Kína
Vietnam
Indonézia
Thaiföld
Laosz
Filippínó
Malajzia
Korea
Japán
Hongkong
Tajvan
Szingapúr
Pakisztán
Szaúd-Arábia
Katar
Kuvait
Kambodzsa
Mianmar
Afrika, India és Közel-Kelet
Egyesült Arab Emírségek
Tádzsikisztán
Madagaszkár
India
Irán
Franciaország
Dél-Afrika
Egyiptom
Kenya
Tanzánia
Ghána
Szenegál
Marokkó
Tunézia
Dél-Amerika / Óceánia
Új-Zéland
Portugália
Brazília
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolívia
Uruguay
Spanyolország
Paraguay
Ausztrália
Észak-Amerika
Egyesült Államok
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexikó
A DiGi-ról
Rólunk
Rólunk
Tanúsítványaink
Bevezetés
Miért DiGi
Szabályzat
Minőségi Politika
Felhasználási feltételek
RoHS megfelelőség
Visszatérési folyamat
Források
Termék kategóriák
Gyártók
Blogok és bejegyzések
Szolgáltatások
Minőségi garancia
Fizetési Mód
Globális Szállítás
Szállítási díjak
GYIK
Gyártó Termékszám:
EMH11FHAT2R
Product Overview
Gyártó:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cikkszám:
EMH11FHAT2R-DG
Leírás:
NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR
Részletes leírás:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
Készlet:
RFQ Online
13520769
Ajánlatkérés
Mennyiség
Minimum 1
*
Cég
*
Kapcsolattartó Név
*
Telefon
*
E-mail
Szállítási cím
Üzenet
(
*
) kötelező
24 órán belül válaszolunk Önnek
KÜLDÉS
EMH11FHAT2R Műszaki jellemzők
Kategória
Bipoláris (BJT), Bipoláris tranzisztor sorozatok, előre torzítva
Gyártó
ROHM Semiconductor
Csomagolás
Tape & Reel (TR)
Sorozat
-
Termék állapota
Not For New Designs
Tranzisztor típusa
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Áram - kollektor (ic) (max)
100mA
Feszültség - kollektor emitter meghibásodása (max)
-
Ellenállás - alap (R1)
10kOhms
Ellenállás - Emitter alap (R2)
10kOhms
DC áramnyereség (hFE) (min) @ ic, vce
30 @ 5mA, 5V
Vce telítettség (max) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Áram - kollektor levágása (max.)
-
Frekvencia - átmenet
250MHz
Teljesítmény - Max
150mW
Fokozat
Automotive
Minősítés
AEC-Q101
Szerelés típusa
Surface Mount
Csomag / tok
SOT-563, SOT-666
Beszállítói eszközcsomag
EMT6
Alap termékszám
EMH11
További információk
Standard csomag
8,000
Egyéb nevek
EMH11FHAT2RCT
EMH11FHAT2RTR
EMH11FHAT2RDKR
Környezeti és Exportosztályozás
RoHS-állapot
ROHS3 Compliant
Nedvességérzékenységi szint (MSL)
1 (Unlimited)
REACH státusz
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Alternatív modellek
ALKATRÉSZ SZÁM
PEMD3,115
GYÁRTÓ
Nexperia USA Inc.
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
4000
DiGi RÉSZ SZÁM
PEMD3,115-DG
EGYSÉGÁR
0.07
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Similar
ALKATRÉSZ SZÁM
RN4982FE,LF(CT
GYÁRTÓ
Toshiba Semiconductor and Storage
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
3035
DiGi RÉSZ SZÁM
RN4982FE,LF(CT-DG
EGYSÉGÁR
0.02
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Similar
ALKATRÉSZ SZÁM
RN1902FE,LF(CT
GYÁRTÓ
Toshiba Semiconductor and Storage
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
22
DiGi RÉSZ SZÁM
RN1902FE,LF(CT-DG
EGYSÉGÁR
0.02
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Similar
ALKATRÉSZ SZÁM
NSBC114EDXV6T1G
GYÁRTÓ
onsemi
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
12000
DiGi RÉSZ SZÁM
NSBC114EDXV6T1G-DG
EGYSÉGÁR
0.05
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Similar
ALKATRÉSZ SZÁM
PEMD3,315
GYÁRTÓ
Nexperia USA Inc.
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
8000
DiGi RÉSZ SZÁM
PEMD3,315-DG
EGYSÉGÁR
0.07
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Similar
DIGI Tanúsítvány
Kapcsolódó Termékek
EMH61T2R
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
EMA8T2R
TRANS PREBIAS DUAL PNP EMT5
EMD3T2R
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
EMH11T2R
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6