Kezdőlap
Termékek
Gyártók
A DiGi-ról
Lépjen kapcsolatba velünk
Blogok és bejegyzések
Árajánlatkérés
Hungarian
Bejelentkezés
Szelektív nyelv
Jelenlegi nyelv az Ön választása:
Hungarian
Kapcsoló:
Angol
Európa
Egyesült Királyság
Kongói Demokratikus Köztársaság
Argentína
Törökország
Románia
Litvánia
Norvégia
Ausztria
Angola
Szlovákia
LTALY
Finnország
Fehéroroszország
Bulgária
Dánia
Észtország
Lengyelország
Ukrajna
Szlovénia
Cseh
Görög
Horvátország
Izrael
Montenegró
Orosz
Belgium
Svédország
Szerbia
Baszk
Izland
Bosznia
Magyar
Moldova
Németország
Hollandia
Írország
Ázsia / Csendes-óceán
Kína
Vietnam
Indonézia
Thaiföld
Laosz
Filippínó
Malajzia
Korea
Japán
Hongkong
Tajvan
Szingapúr
Pakisztán
Szaúd-Arábia
Katar
Kuvait
Kambodzsa
Mianmar
Afrika, India és Közel-Kelet
Egyesült Arab Emírségek
Tádzsikisztán
Madagaszkár
India
Irán
Franciaország
Dél-Afrika
Egyiptom
Kenya
Tanzánia
Ghána
Szenegál
Marokkó
Tunézia
Dél-Amerika / Óceánia
Új-Zéland
Portugália
Brazília
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolívia
Uruguay
Spanyolország
Paraguay
Ausztrália
Észak-Amerika
Egyesült Államok
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexikó
A DiGi-ról
Rólunk
Rólunk
Tanúsítványaink
Bevezetés
Miért DiGi
Szabályzat
Minőségi Politika
Felhasználási feltételek
RoHS megfelelőség
Visszatérési folyamat
Források
Termék kategóriák
Gyártók
Blogok és bejegyzések
Szolgáltatások
Minőségi garancia
Fizetési Mód
Globális Szállítás
Szállítási díjak
GYIK
Gyártó Termékszám:
PEMD3,315
Product Overview
Gyártó:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Cikkszám:
PEMD3,315-DG
Leírás:
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT666
Részletes leírás:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666
Készlet:
8000 Új, eredeti, készleten lévő db
12830777
Ajánlatkérés
Mennyiség
Minimum 1
*
Cég
*
Kapcsolattartó Név
*
Telefon
*
E-mail
Szállítási cím
Üzenet
(
*
) kötelező
24 órán belül válaszolunk Önnek
KÜLDÉS
PEMD3,315 Műszaki jellemzők
Kategória
Bipoláris (BJT), Bipoláris tranzisztor sorozatok, előre torzítva
Gyártó
Nexperia
Csomagolás
Tape & Reel (TR)
Sorozat
-
Termék állapota
Not For New Designs
Tranzisztor típusa
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Áram - kollektor (ic) (max)
100mA
Feszültség - kollektor emitter meghibásodása (max)
50V
Ellenállás - alap (R1)
10kOhms
Ellenállás - Emitter alap (R2)
10kOhms
DC áramnyereség (hFE) (min) @ ic, vce
30 @ 5mA, 5V
Vce telítettség (max) @ Ib, Ic
150mV @ 500µA, 10mA
Áram - kollektor levágása (max.)
1µA
Frekvencia - átmenet
-
Teljesítmény - Max
300mW
Szerelés típusa
Surface Mount
Csomag / tok
SOT-563, SOT-666
Beszállítói eszközcsomag
SOT-666
Alap termékszám
PEMD3
Műszaki adatlap és dokumentumok
Adatlapok
PEMD3,315
HTML Adatlap
PEMD3,315-DG
További információk
Standard csomag
8,000
Egyéb nevek
1727-PEMD3,315CT
5202-PEMD3,315TR
934056771315
1727-PEMD3,315DKR
1727-PEMD3,315TR
PEMD3,315-DG
Környezeti és Exportosztályozás
RoHS-állapot
ROHS3 Compliant
Nedvességérzékenységi szint (MSL)
1 (Unlimited)
REACH státusz
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatív modellek
ALKATRÉSZ SZÁM
RN4982FE,LF(CT
GYÁRTÓ
Toshiba Semiconductor and Storage
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
3035
DiGi RÉSZ SZÁM
RN4982FE,LF(CT-DG
EGYSÉGÁR
0.02
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Similar
ALKATRÉSZ SZÁM
NSBC114EDXV6T1G
GYÁRTÓ
onsemi
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
12000
DiGi RÉSZ SZÁM
NSBC114EDXV6T1G-DG
EGYSÉGÁR
0.05
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Similar
ALKATRÉSZ SZÁM
EMH11T2R
GYÁRTÓ
Rohm Semiconductor
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
27909
DiGi RÉSZ SZÁM
EMH11T2R-DG
EGYSÉGÁR
0.08
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Similar
ALKATRÉSZ SZÁM
DCX114TH-7
GYÁRTÓ
Diodes Incorporated
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
0
DiGi RÉSZ SZÁM
DCX114TH-7-DG
EGYSÉGÁR
0.06
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Similar
ALKATRÉSZ SZÁM
RN4987FE,LF(CT
GYÁRTÓ
Toshiba Semiconductor and Storage
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
3442
DiGi RÉSZ SZÁM
RN4987FE,LF(CT-DG
EGYSÉGÁR
0.02
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Similar
DIGI Tanúsítvány
Kapcsolódó Termékek
PUMB14,115
TRANS PREBIAS 2PNP 50V 6TSSOP
PUMD10,125
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
PUMH9,115
TRANS PREBIAS 2NPN 50V 6TSSOP
BCR22PNH6327XTSA1
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363