Gyártó Termékszám:
EMH10T2R
Product Overview
Gyártó:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cikkszám:
EMH10T2R-DG
Leírás:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
Részletes leírás:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
Készlet:
6760 Új, eredeti, készleten lévő db
13523579
Ajánlatkérés
Mennyiség
Minimum 1
Minimum 1
(*) kötelező
24 órán belül válaszolunk Önnek
24 órán belül válaszolunk Önnek
KÜLDÉS
EMH10T2R Műszaki jellemzők
Kategória
Bipoláris (BJT), Bipoláris tranzisztor sorozatok, előre torzítva
Gyártó
ROHM Semiconductor
Csomagolás
Tape & Reel (TR)
Sorozat
-
Termék állapota
Active
Tranzisztor típusa
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Áram - kollektor (ic) (max)
100mA
Feszültség - kollektor emitter meghibásodása (max)
50V
Ellenállás - alap (R1)
22kOhms
Ellenállás - Emitter alap (R2)
22kOhms
DC áramnyereség (hFE) (min) @ ic, vce
56 @ 5mA, 5V
Vce telítettség (max) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Áram - kollektor levágása (max.)
500nA
Frekvencia - átmenet
250MHz
Teljesítmény - Max
150mW
Szerelés típusa
Surface Mount
Csomag / tok
SOT-563, SOT-666
Beszállítói eszközcsomag
EMT6
Alap termékszám
EMH10
Műszaki adatlap és dokumentumok
Megbízhatósági dokumentumok
Adatlapok
Tervezési erőforrások
További információk
Standard csomag
8,000
Egyéb nevek
EMH10T2RCT
EMH10T2R-ND
EMH10T2RTR
EMH10T2RDKR
Környezeti és Exportosztályozás
RoHS-állapot
ROHS3 Compliant
Nedvességérzékenységi szint (MSL)
1 (Unlimited)
REACH státusz
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatív modellek
ALKATRÉSZ SZÁM
PEMH10,115
GYÁRTÓ
Nexperia USA Inc.
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
7750
DiGi RÉSZ SZÁM
PEMH10,115-DG
EGYSÉGÁR
0.07
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Similar
ALKATRÉSZ SZÁM
RN1905FE,LF(CT
GYÁRTÓ
Toshiba Semiconductor and Storage
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
133
DiGi RÉSZ SZÁM
RN1905FE,LF(CT-DG
EGYSÉGÁR
0.02
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Direct
DIGI Tanúsítvány
Kapcsolódó Termékek
EMD12T2R
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
IMD16AT108
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
IMD14T108
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
