Gyártó Termékszám:
EMD12T2R
Product Overview
Gyártó:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cikkszám:
EMD12T2R-DG
Leírás:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Részletes leírás:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
Készlet:
7400 Új, eredeti, készleten lévő db
13523583
Ajánlatkérés
Mennyiség
Minimum 1
Minimum 1
(*) kötelező
24 órán belül válaszolunk Önnek
24 órán belül válaszolunk Önnek
KÜLDÉS
EMD12T2R Műszaki jellemzők
Kategória
Bipoláris (BJT), Bipoláris tranzisztor sorozatok, előre torzítva
Gyártó
ROHM Semiconductor
Csomagolás
Tape & Reel (TR)
Sorozat
-
Termék állapota
Active
Tranzisztor típusa
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Áram - kollektor (ic) (max)
100mA
Feszültség - kollektor emitter meghibásodása (max)
50V
Ellenállás - alap (R1)
47kOhms
Ellenállás - Emitter alap (R2)
47kOhms
DC áramnyereség (hFE) (min) @ ic, vce
68 @ 5mA, 5V
Vce telítettség (max) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Áram - kollektor levágása (max.)
500nA
Frekvencia - átmenet
250MHz
Teljesítmény - Max
150mW
Szerelés típusa
Surface Mount
Csomag / tok
SOT-563, SOT-666
Beszállítói eszközcsomag
EMT6
Alap termékszám
EMD12
Műszaki adatlap és dokumentumok
Megbízhatósági dokumentumok
Adatlapok
Tervezési erőforrások
További információk
Standard csomag
8,000
Egyéb nevek
EMD12T2RDKR
EMD12T2RCT
EMD12T2RTR
EMD12T2R-ND
Környezeti és Exportosztályozás
RoHS-állapot
ROHS3 Compliant
Nedvességérzékenységi szint (MSL)
1 (Unlimited)
REACH státusz
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatív modellek
ALKATRÉSZ SZÁM
NSBC144EPDXV6T1G
GYÁRTÓ
onsemi
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
3990
DiGi RÉSZ SZÁM
NSBC144EPDXV6T1G-DG
EGYSÉGÁR
0.05
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Similar
ALKATRÉSZ SZÁM
PEMD12,115
GYÁRTÓ
NXP Semiconductors
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
4633890
DiGi RÉSZ SZÁM
PEMD12,115-DG
EGYSÉGÁR
0.06
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Direct
DIGI Tanúsítvány
Kapcsolódó Termékek
IMD16AT108
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
IMD14T108
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
EMG6T2R
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
