Kezdőlap
Termékek
Gyártók
A DiGi-ról
Lépjen kapcsolatba velünk
Blogok és bejegyzések
Árajánlatkérés
Hungarian
Bejelentkezés
Szelektív nyelv
Jelenlegi nyelv az Ön választása:
Hungarian
Kapcsoló:
Angol
Európa
Egyesült Királyság
Franciaország
Spanyolország
Törökország
Moldova
Litvánia
Norvégia
Németország
Portugália
Szlovákia
Olaszország
Finnország
Orosz
Bulgária
Dánia
Észtország
Lengyelország
Ukrajna
Szlovénia
Cseh
Görög
Horvátország
Izrael
Szerbia
Fehéroroszország
Hollandia
Svédország
Montenegró
Baszk
Izland
Bosznia
Magyar
Románia
Ausztria
Belgium
Írország
Ázsia / Csendes-óceáni térség
Kína
Vietnam
Indonézia
Thaiföld
Laosz
Filippínó
Malajzia
Korea
Japán
Hongkong
Tajvan
Szingapúr
Pakisztán
Szaúd-Arábia
Katar
Kuvait
Kambodzsa
Mianmar
Afrika, India és a Közel-Kelet
Egyesült Arab Emírségek
Tádzsikisztán
Madagaszkár
India
Irán
Kongói Demokratikus Köztársaság
Dél-Afrika
Egyiptom
Kenya
Tanzánia
Ghána
Szenegál
Marokkó
Tunézia
Dél-Amerika / Óceánia
Új-Zéland
Angola
Brazília
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolívia
Uruguay
Argentína
Paraguay
Ausztrália
Észak-Amerika
Egyesült Államok
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexikó
A DiGi-ról
Rólunk
Rólunk
Tanúsítványaink
Bevezetés
Miért DiGi
Szabályzat
Minőségi Politika
Felhasználási feltételek
RoHS megfelelőség
Visszatérési folyamat
Források
Termék kategóriák
Gyártók
Blogok és bejegyzések
Szolgáltatások
Minőségi garancia
Fizetési Mód
Globális Szállítás
Szállítási díjak
GYIK
Gyártó Termékszám:
FCP099N65S3
Product Overview
Gyártó:
onsemi
DiGi Electronics Cikkszám:
FCP099N65S3-DG
Leírás:
MOSFET N-CH 650V 30A TO220-3
Részletes leírás:
N-Channel 650 V 30A (Tc) 227W (Tc) Through Hole TO-220-3
Készlet:
RFQ Online
12838698
Ajánlatkérés
Mennyiség
Minimum 1
*
Cég
*
Kapcsolattartó Név
*
Telefon
*
E-mail
Szállítási cím
Üzenet
(
*
) kötelező
24 órán belül válaszolunk Önnek
KÜLDÉS
FCP099N65S3 Műszaki jellemzők
Kategória
FET-ek, MOSFET-ek, Egyszerű FET-ek, MOSFET-ek
Gyártó
onsemi
Csomagolás
Tube
Sorozat
SuperFET® III
Termék állapota
Not For New Designs
FET típus
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Leeresztés a forrásfeszültségig (Vdss)
650 V
Áram - folyamatos leeresztés (id) @ 25°C
30A (Tc)
Meghajtó feszültsége (Max Rds be, Min Rds be)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
99mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ azonosító
4.5V @ 3mA
Kapu töltése (qg) (max) @ vgs
61 nC @ 10 V
VGS (max.)
±30V
Bemeneti kapacitás (Ciss) (max) @ Vds
2480 pF @ 400 V
FET funkció
-
Teljesítményelnyelés (max.)
227W (Tc)
Üzemi hőmérséklet
-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelés típusa
Through Hole
Beszállítói eszközcsomag
TO-220-3
Csomag / tok
TO-220-3
Alap termékszám
FCP099
Műszaki adatlap és dokumentumok
Adatlapok
FCP099N65S3
HTML Adatlap
FCP099N65S3-DG
További információk
Standard csomag
50
Környezeti és Exportosztályozás
RoHS-állapot
ROHS3 Compliant
Nedvességérzékenységi szint (MSL)
Not Applicable
REACH státusz
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatív modellek
ALKATRÉSZ SZÁM
IXFP34N65X2
GYÁRTÓ
IXYS
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
0
DiGi RÉSZ SZÁM
IXFP34N65X2-DG
EGYSÉGÁR
3.29
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Similar
ALKATRÉSZ SZÁM
IPP65R110CFDAAKSA1
GYÁRTÓ
Infineon Technologies
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
0
DiGi RÉSZ SZÁM
IPP65R110CFDAAKSA1-DG
EGYSÉGÁR
3.79
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Similar
ALKATRÉSZ SZÁM
STP36N60M6
GYÁRTÓ
STMicroelectronics
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
96
DiGi RÉSZ SZÁM
STP36N60M6-DG
EGYSÉGÁR
3.05
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Similar
ALKATRÉSZ SZÁM
FCH099N65S3-F155
GYÁRTÓ
onsemi
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
390
DiGi RÉSZ SZÁM
FCH099N65S3-F155-DG
EGYSÉGÁR
3.53
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Parametric Equivalent
DIGI Tanúsítvány
Kapcsolódó Termékek
FDS6670AS
MOSFET N-CH 30V 13.5A 8SOIC
FDMC86248
MOSFET N CH 150V 3.4A POWER33
FDD86250
MOSFET N-CH 150V 8A/50A DPAK
FDC2512
MOSFET N-CH 150V 1.4A SUPERSOT6