Gyártó Termékszám:
FDD86250
Product Overview
Gyártó:
onsemi
DiGi Electronics Cikkszám:
FDD86250-DG
Leírás:
MOSFET N-CH 150V 8A/50A DPAK
Részletes leírás:
N-Channel 150 V 8A (Ta), 50A (Tc) 3.1W (Ta), 132W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Készlet:
1640 Új, eredeti, készleten lévő db
12838703
Ajánlatkérés
Mennyiség
Minimum 1
Minimum 1
(*) kötelező
24 órán belül válaszolunk Önnek
24 órán belül válaszolunk Önnek
KÜLDÉS
FDD86250 Műszaki jellemzők
Kategória
FET-ek, MOSFET-ek, Egyszerű FET-ek, MOSFET-ek
Gyártó
onsemi
Csomagolás
Tape & Reel (TR)
Sorozat
PowerTrench®
Termék állapota
Active
FET típus
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Leeresztés a forrásfeszültségig (Vdss)
150 V
Áram - folyamatos leeresztés (id) @ 25°C
8A (Ta), 50A (Tc)
Meghajtó feszültsége (Max Rds be, Min Rds be)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
22mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (max) @ azonosító
4V @ 250µA
Kapu töltése (qg) (max) @ vgs
33 nC @ 10 V
VGS (max.)
±20V
Bemeneti kapacitás (Ciss) (max) @ Vds
2110 pF @ 75 V
FET funkció
-
Teljesítményelnyelés (max.)
3.1W (Ta), 132W (Tc)
Üzemi hőmérséklet
-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelés típusa
Surface Mount
Beszállítói eszközcsomag
TO-252AA
Csomag / tok
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Alap termékszám
FDD862
Műszaki adatlap és dokumentumok
Adatlapok
További információk
Standard csomag
2,500
Egyéb nevek
FDD86250-DG
FDD86250CT
FDD86250TR
FDD86250DKR
Környezeti és Exportosztályozás
RoHS-állapot
ROHS3 Compliant
Nedvességérzékenységi szint (MSL)
1 (Unlimited)
REACH státusz
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatív modellek
ALKATRÉSZ SZÁM
IPD200N15N3GATMA1
GYÁRTÓ
Infineon Technologies
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
51180
DiGi RÉSZ SZÁM
IPD200N15N3GATMA1-DG
EGYSÉGÁR
1.19
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Direct
DIGI Tanúsítvány
Kapcsolódó Termékek
FDC2512
MOSFET N-CH 150V 1.4A SUPERSOT6
HUFA75321D3ST
MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA
FDS4070N3
MOSFET N-CH 40V 15.3A 8SO
