Gyártó Termékszám:
TK42A12N1,S4X
Product Overview
Gyártó:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cikkszám:
TK42A12N1,S4X-DG
Leírás:
MOSFET N-CH 120V 42A TO220SIS
Részletes leírás:
N-Channel 120 V 42A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Készlet:
250 Új, eredeti, készleten lévő db
12891201
Ajánlatkérés
Mennyiség
Minimum 1
Minimum 1
xqCx
(*) kötelező
24 órán belül válaszolunk Önnek
24 órán belül válaszolunk Önnek
KÜLDÉS
TK42A12N1,S4X Műszaki jellemzők
Kategória
FET-ek, MOSFET-ek, Egyszerű FET-ek, MOSFET-ek
Gyártó
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Csomagolás
Tube
Sorozat
U-MOSVIII-H
Termék állapota
Active
FET típus
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Leeresztés a forrásfeszültségig (Vdss)
120 V
Áram - folyamatos leeresztés (id) @ 25°C
42A (Tc)
Meghajtó feszültsége (Max Rds be, Min Rds be)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.4mOhm @ 21A, 10V
vgs(th) (max) @ azonosító
4V @ 1mA
Kapu töltése (qg) (max) @ vgs
52 nC @ 10 V
VGS (max.)
±20V
Bemeneti kapacitás (Ciss) (max) @ Vds
3100 pF @ 60 V
FET funkció
-
Teljesítményelnyelés (max.)
35W (Tc)
Üzemi hőmérséklet
150°C (TJ)
Szerelés típusa
Through Hole
Beszállítói eszközcsomag
TO-220SIS
Csomag / tok
TO-220-3 Full Pack
Alap termékszám
TK42A12
Műszaki adatlap és dokumentumok
Adatlapok
További információk
Standard csomag
50
Egyéb nevek
TK42A12N1S4X
TK42A12N1,S4X(S
TK42A12N1,S4X-DG
Q10136417
Környezeti és Exportosztályozás
RoHS-állapot
ROHS3 Compliant
Nedvességérzékenységi szint (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Tanúsítvány
Kapcsolódó Termékek
SSM6J213FE(TE85L,F
MOSFET P CH 20V 2.6A ES6
TPN11003NL,LQ
MOSFET N CH 30V 11A 8TSON-ADV
SSM6J214FE(TE85L,F
MOSFET P-CH 30V 3.6A ES6
