Gyártó Termékszám:
TK3A60DA(Q,M)
Product Overview
Gyártó:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cikkszám:
TK3A60DA(Q,M)-DG
Leírás:
MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220SIS
Részletes leírás:
N-Channel 600 V 2.5A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Készlet:
1 Új, eredeti, készleten lévő db
12890606
Ajánlatkérés
Mennyiség
Minimum 1
Minimum 1
a9nM
(*) kötelező
24 órán belül válaszolunk Önnek
24 órán belül válaszolunk Önnek
KÜLDÉS
TK3A60DA(Q,M) Műszaki jellemzők
Kategória
FET-ek, MOSFET-ek, Egyszerű FET-ek, MOSFET-ek
Gyártó
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Csomagolás
Tube
Sorozat
π-MOSVII
Termék állapota
Active
FET típus
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Leeresztés a forrásfeszültségig (Vdss)
600 V
Áram - folyamatos leeresztés (id) @ 25°C
2.5A (Ta)
Meghajtó feszültsége (Max Rds be, Min Rds be)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.8Ohm @ 1.3A, 10V
vgs(th) (max) @ azonosító
4.4V @ 1mA
Kapu töltése (qg) (max) @ vgs
9 nC @ 10 V
VGS (max.)
±30V
Bemeneti kapacitás (Ciss) (max) @ Vds
380 pF @ 25 V
FET funkció
-
Teljesítményelnyelés (max.)
30W (Tc)
Üzemi hőmérséklet
150°C (TJ)
Szerelés típusa
Through Hole
Beszállítói eszközcsomag
TO-220SIS
Csomag / tok
TO-220-3 Full Pack
Alap termékszám
TK3A60
Műszaki adatlap és dokumentumok
Adatlapok
További információk
Standard csomag
50
Egyéb nevek
TK3A60DA(Q)
TK3A60DA(QM)
TK3A60DAQM
TK3A60DA(Q)-DG
Környezeti és Exportosztályozás
RoHS-állapot
RoHS Compliant
Nedvességérzékenységi szint (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatív modellek
ALKATRÉSZ SZÁM
STF6N62K3
GYÁRTÓ
STMicroelectronics
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
963
DiGi RÉSZ SZÁM
STF6N62K3-DG
EGYSÉGÁR
0.83
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Direct
ALKATRÉSZ SZÁM
TK3A60DA(STA4,Q,M)
GYÁRTÓ
Toshiba Semiconductor and Storage
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
47
DiGi RÉSZ SZÁM
TK3A60DA(STA4,Q,M)-DG
EGYSÉGÁR
0.40
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Direct
DIGI Tanúsítvány
Kapcsolódó Termékek
TK100L60W,VQ
MOSFET N-CH 600V 100A TO3P
TK10A60W5,S5VX
MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS
TPN4R203NC,L1Q
MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV
