Gyártó Termékszám:
TK33S10N1Z,LQ
Product Overview
Gyártó:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cikkszám:
TK33S10N1Z,LQ-DG
Leírás:
MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Részletes leírás:
N-Channel 100 V 33A (Ta) 125W (Tc) Surface Mount DPAK+
Készlet:
1940 Új, eredeti, készleten lévő db
12889506
Ajánlatkérés
Mennyiség
Minimum 1
Minimum 1
dvkj
(*) kötelező
24 órán belül válaszolunk Önnek
24 órán belül válaszolunk Önnek
KÜLDÉS
TK33S10N1Z,LQ Műszaki jellemzők
Kategória
FET-ek, MOSFET-ek, Egyszerű FET-ek, MOSFET-ek
Gyártó
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Csomagolás
Tape & Reel (TR)
Sorozat
U-MOSVIII-H
Termék állapota
Active
FET típus
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Leeresztés a forrásfeszültségig (Vdss)
100 V
Áram - folyamatos leeresztés (id) @ 25°C
33A (Ta)
Meghajtó feszültsége (Max Rds be, Min Rds be)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.7mOhm @ 16.5A, 10V
vgs(th) (max) @ azonosító
4V @ 500µA
Kapu töltése (qg) (max) @ vgs
28 nC @ 10 V
VGS (max.)
±20V
Bemeneti kapacitás (Ciss) (max) @ Vds
2050 pF @ 10 V
FET funkció
-
Teljesítményelnyelés (max.)
125W (Tc)
Üzemi hőmérséklet
175°C (TJ)
Szerelés típusa
Surface Mount
Beszállítói eszközcsomag
DPAK+
Csomag / tok
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Alap termékszám
TK33S10
Műszaki adatlap és dokumentumok
Adatlapok
További információk
Standard csomag
2,000
Egyéb nevek
TK33S10N1ZLQTR
TK33S10N1ZLQCT
TK33S10N1ZLQDKR
TK33S10N1Z,LQ(O
Környezeti és Exportosztályozás
RoHS-állapot
ROHS3 Compliant
Nedvességérzékenységi szint (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatív modellek
ALKATRÉSZ SZÁM
STD80N10F7
GYÁRTÓ
STMicroelectronics
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
2500
DiGi RÉSZ SZÁM
STD80N10F7-DG
EGYSÉGÁR
0.69
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Similar
DIGI Tanúsítvány
Kapcsolódó Termékek
DMTH6004SPSQ-13
MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060
TK80S04K3L(T6L1,NQ
MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
SSM3K309T(TE85L,F)
MOSFET N-CH 20V 4.7A TSM