Gyártó Termékszám:
SSM6N815R,LF
Product Overview
Gyártó:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cikkszám:
SSM6N815R,LF-DG
Leírás:
MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPF
Részletes leírás:
Mosfet Array 100V 2A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount 6-TSOP-F
Készlet:
1051 Új, eredeti, készleten lévő db
12889329
Ajánlatkérés
Mennyiség
Minimum 1
Minimum 1
vVvc
(*) kötelező
24 órán belül válaszolunk Önnek
24 órán belül válaszolunk Önnek
KÜLDÉS
SSM6N815R,LF Műszaki jellemzők
Kategória
FET-ek, MOSFET-ek, FET, MOSFET tömbök
Gyártó
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Csomagolás
Tape & Reel (TR)
Sorozat
U-MOSVIII-H
Termék állapota
Active
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguráció
2 N-Channel (Dual)
FET funkció
Logic Level Gate, 4V Drive
Leeresztés a forrásfeszültségig (Vdss)
100V
Áram - folyamatos leeresztés (id) @ 25°C
2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
103mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (max) @ azonosító
2.5V @ 100µA
Kapu töltése (qg) (max) @ vgs
3.1nC @ 4.5V
Bemeneti kapacitás (Ciss) (max) @ Vds
290pF @ 15V
Teljesítmény - Max
1.8W (Ta)
Üzemi hőmérséklet
150°C
Szerelés típusa
Surface Mount
Csomag / tok
6-SMD, Flat Leads
Beszállítói eszközcsomag
6-TSOP-F
Alap termékszám
SSM6N815
Műszaki adatlap és dokumentumok
Adatlapok
További információk
Standard csomag
3,000
Egyéb nevek
SSM6N815RLFTR
SSM6N815RLFCT
SSM6N815R,LF(B
SSM6N815R,LF(T
SSM6N815RLF
SSM6N815RLF(B
SSM6N815RLFDKR
Környezeti és Exportosztályozás
RoHS-állapot
ROHS3 Compliant
Nedvességérzékenységi szint (MSL)
1 (Unlimited)
REACH státusz
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Tanúsítvány
Kapcsolódó Termékek
DMN2300UFL4-7
MOSFET 2N-CH 20V 2.11A 6DFN
SSM6N357R,LF
MOSFET 2N-CH 60V 0.65A 6TSOPF
SSM6N35AFE,LF
MOSFET 2N-CH 20V 0.25A ES6