Gyártó Termékszám:
RN4909,LF(CT
Product Overview
Gyártó:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cikkszám:
RN4909,LF(CT-DG
Leírás:
PNP + NPN BRT Q1BSR22KOHM Q1BER4
Részletes leírás:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz, 250MHz 200mW Surface Mount US6
Készlet:
3000 Új, eredeti, készleten lévő db
12889864
Ajánlatkérés
Mennyiség
Minimum 1
Minimum 1
6xhc
(*) kötelező
24 órán belül válaszolunk Önnek
24 órán belül válaszolunk Önnek
KÜLDÉS
RN4909,LF(CT Műszaki jellemzők
Kategória
Bipoláris (BJT), Bipoláris tranzisztor sorozatok, előre torzítva
Gyártó
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Csomagolás
Tape & Reel (TR)
Sorozat
-
Termék állapota
Active
Tranzisztor típusa
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Áram - kollektor (ic) (max)
100mA
Feszültség - kollektor emitter meghibásodása (max)
50V
Ellenállás - alap (R1)
47kOhms
Ellenállás - Emitter alap (R2)
22kOhms
DC áramnyereség (hFE) (min) @ ic, vce
70 @ 10mA, 5V
Vce telítettség (max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Áram - kollektor levágása (max.)
500nA
Frekvencia - átmenet
200MHz, 250MHz
Teljesítmény - Max
200mW
Szerelés típusa
Surface Mount
Csomag / tok
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Beszállítói eszközcsomag
US6
Alap termékszám
RN4909
Műszaki adatlap és dokumentumok
Adatlapok
További információk
Standard csomag
3,000
Egyéb nevek
RN4909,LF(CB
RN4909LF(CTDKR
RN4909LF(CTCT
RN4909LF(CTTR
Környezeti és Exportosztályozás
RoHS-állapot
ROHS3 Compliant
Nedvességérzékenységi szint (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI Tanúsítvány
Kapcsolódó Termékek
RN1904FE,LF(CT
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
RN1973(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
RN2963(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
