Gyártó Termékszám:
RN4906FE,LF(CT
Product Overview
Gyártó:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cikkszám:
RN4906FE,LF(CT-DG
Leírás:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Részletes leírás:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
Készlet:
4000 Új, eredeti, készleten lévő db
12889128
Ajánlatkérés
Mennyiség
Minimum 1
Minimum 1
JAo5
(*) kötelező
24 órán belül válaszolunk Önnek
24 órán belül válaszolunk Önnek
KÜLDÉS
RN4906FE,LF(CT Műszaki jellemzők
Kategória
Bipoláris (BJT), Bipoláris tranzisztor sorozatok, előre torzítva
Gyártó
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Csomagolás
Tape & Reel (TR)
Sorozat
-
Termék állapota
Active
Tranzisztor típusa
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Áram - kollektor (ic) (max)
100mA
Feszültség - kollektor emitter meghibásodása (max)
50V
Ellenállás - alap (R1)
4.7kOhms
Ellenállás - Emitter alap (R2)
47kOhms
DC áramnyereség (hFE) (min) @ ic, vce
80 @ 10mA, 5V
Vce telítettség (max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Áram - kollektor levágása (max.)
100nA (ICBO)
Frekvencia - átmenet
200MHz
Teljesítmény - Max
100mW
Szerelés típusa
Surface Mount
Csomag / tok
SOT-563, SOT-666
Beszállítói eszközcsomag
ES6
Alap termékszám
RN4906
Műszaki adatlap és dokumentumok
Adatlapok
További információk
Standard csomag
4,000
Egyéb nevek
RN4906FELF(CTCT
RN4906FELF(CBTR
RN4906FE(TE85LF)TR-DG
RN4906FE(TE85LF)CT
RN4906FELF(CBCT
RN4906FELF(CTDKR
RN4906FE,LF(CB
RN4906FELF(CBDKR-DG
RN4906FELF(CBCT-DG
RN4906FE(TE85LF)DKR
RN4906FE(TE85LF)TR
RN4906FELF(CTTR
RN4906FELF(CBDKR
RN4906FE(TE85LF)CT-DG
RN4906FELF(CBTR-DG
RN4906FE(TE85LF)DKR-DG
RN4906FE(TE85L,F)
Környezeti és Exportosztályozás
RoHS-állapot
ROHS3 Compliant
Nedvességérzékenységi szint (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Tanúsítvány
Kapcsolódó Termékek
RN4987FE,LF(CT
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
RN2962FE(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
RN2711(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV
