RN2707JE(TE85L,F)
Gyártó Termékszám:

RN2707JE(TE85L,F)

Product Overview

Gyártó:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Cikkszám:

RN2707JE(TE85L,F)-DG

Leírás:

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Részletes leírás:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ESV

Készlet:

1645 Új, eredeti, készleten lévő db
12889354
Ajánlatkérés
Mennyiség
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
2eWT
(*) kötelező
24 órán belül válaszolunk Önnek
KÜLDÉS

RN2707JE(TE85L,F) Műszaki jellemzők

Kategória
Bipoláris (BJT), Bipoláris tranzisztor sorozatok, előre torzítva
Gyártó
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Csomagolás
Tape & Reel (TR)
Sorozat
-
Termék állapota
Active
Tranzisztor típusa
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Áram - kollektor (ic) (max)
100mA
Feszültség - kollektor emitter meghibásodása (max)
50V
Ellenállás - alap (R1)
10kOhms
Ellenállás - Emitter alap (R2)
47kOhms
DC áramnyereség (hFE) (min) @ ic, vce
80 @ 10mA, 5V
Vce telítettség (max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Áram - kollektor levágása (max.)
100nA (ICBO)
Frekvencia - átmenet
200MHz
Teljesítmény - Max
100mW
Szerelés típusa
Surface Mount
Csomag / tok
SOT-553
Beszállítói eszközcsomag
ESV
Alap termékszám
RN2707

Műszaki adatlap és dokumentumok

Adatlapok

További információk

Standard csomag
4,000
Egyéb nevek
RN2707JE(TE85LF)DKR
RN2707JE(TE85LF)TR
RN2707JE(TE85LF)CT

Környezeti és Exportosztályozás

RoHS-állapot
RoHS Compliant
Nedvességérzékenységi szint (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Tanúsítvány
Kapcsolódó Termékek
toshiba-semiconductor-and-storage

RN4988(T5L,F,T)

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1702JE(TE85L,F)

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1971FE(TE85L,F)

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1909,LF(CT

NPNX2 BRT Q1BSR47KOHM Q1BER22KOH