Gyártó Termékszám:
RN1908(T5L,F,T)
Product Overview
Gyártó:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cikkszám:
RN1908(T5L,F,T)-DG
Leírás:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Részletes leírás:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6
Készlet:
2986 Új, eredeti, készleten lévő db
12890301
Ajánlatkérés
Mennyiség
Minimum 1
Minimum 1
qBzd
(*) kötelező
24 órán belül válaszolunk Önnek
24 órán belül válaszolunk Önnek
KÜLDÉS
RN1908(T5L,F,T) Műszaki jellemzők
Kategória
Bipoláris (BJT), Bipoláris tranzisztor sorozatok, előre torzítva
Gyártó
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Csomagolás
Cut Tape (CT)
Sorozat
-
Termék állapota
Active
Tranzisztor típusa
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Áram - kollektor (ic) (max)
100mA
Feszültség - kollektor emitter meghibásodása (max)
50V
Ellenállás - alap (R1)
22kOhms
Ellenállás - Emitter alap (R2)
47kOhms
DC áramnyereség (hFE) (min) @ ic, vce
80 @ 10mA, 5V
Vce telítettség (max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Áram - kollektor levágása (max.)
100nA (ICBO)
Frekvencia - átmenet
250MHz
Teljesítmény - Max
200mW
Szerelés típusa
Surface Mount
Csomag / tok
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Beszállítói eszközcsomag
US6
Alap termékszám
RN1908
Műszaki adatlap és dokumentumok
Adatlapok
További információk
Standard csomag
3,000
Egyéb nevek
RN1908(T5LFT)CT
RN1908(T5LFT)TR
RN1908(T5LFT)DKR
Környezeti és Exportosztályozás
RoHS-állapot
RoHS Compliant
Nedvességérzékenységi szint (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatív modellek
ALKATRÉSZ SZÁM
PUMH16,115
GYÁRTÓ
Nexperia USA Inc.
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
5117
DiGi RÉSZ SZÁM
PUMH16,115-DG
EGYSÉGÁR
0.03
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Similar
DIGI Tanúsítvány
Kapcsolódó Termékek
RN1711JE(TE85L,F)
TRANSISTOR NPN X2 BRT Q1BSR10KOH
RN2708JE(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
RN2904FE,LF
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
