Gyártó Termékszám:
RN1118MFV,L3F
Product Overview
Gyártó:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cikkszám:
RN1118MFV,L3F-DG
Leírás:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Részletes leírás:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW Surface Mount VESM
Készlet:
12891147
Ajánlatkérés
Mennyiség
Minimum 1
Minimum 1
h50P
(*) kötelező
24 órán belül válaszolunk Önnek
24 órán belül válaszolunk Önnek
KÜLDÉS
RN1118MFV,L3F Műszaki jellemzők
Kategória
Bipoláris (BJT), Egyes, előfeszített bipoláris tranzisztorok
Gyártó
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Csomagolás
Tape & Reel (TR)
Sorozat
-
Termék állapota
Active
Tranzisztor típusa
NPN - Pre-Biased
Áram - kollektor (ic) (max)
100 mA
Feszültség - kollektor emitter meghibásodása (max)
50 V
Ellenállás - alap (R1)
47 kOhms
Ellenállás - Emitter alap (R2)
10 kOhms
DC áramnyereség (hFE) (min) @ ic, vce
50 @ 10mA, 5V
Vce telítettség (max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Áram - kollektor levágása (max.)
500nA
Frekvencia - átmenet
250 MHz
Teljesítmény - Max
150 mW
Szerelés típusa
Surface Mount
Csomag / tok
SOT-723
Beszállítói eszközcsomag
VESM
Alap termékszám
RN1118
Műszaki adatlap és dokumentumok
Adatlapok
További információk
Standard csomag
8,000
Egyéb nevek
264-RN1118MFV,L3FCT
RN1118MFVL3F-DG
264-RN1118MFV,L3FDKR
264-RN1118MFV,L3FTR
RN1118MFVL3F
Környezeti és Exportosztályozás
RoHS-állapot
ROHS3 Compliant
Nedvességérzékenységi szint (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI Tanúsítvány
Kapcsolódó Termékek
RN1311,LF
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
RN2106(T5L,F,T)
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
RN2422TE85LF
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.8A SMINI