Gyártó Termékszám:
RN1104MFV,L3F(CT
Product Overview
Gyártó:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cikkszám:
RN1104MFV,L3F(CT-DG
Leírás:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Részletes leírás:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM
Készlet:
23852 Új, eredeti, készleten lévő db
12889798
Ajánlatkérés
Mennyiség
Minimum 1
Minimum 1
QHiW
(*) kötelező
24 órán belül válaszolunk Önnek
24 órán belül válaszolunk Önnek
KÜLDÉS
RN1104MFV,L3F(CT Műszaki jellemzők
Kategória
Bipoláris (BJT), Egyes, előfeszített bipoláris tranzisztorok
Gyártó
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Csomagolás
Tape & Reel (TR)
Sorozat
-
Termék állapota
Active
Tranzisztor típusa
NPN - Pre-Biased
Áram - kollektor (ic) (max)
100 mA
Feszültség - kollektor emitter meghibásodása (max)
50 V
Ellenállás - alap (R1)
47 kOhms
Ellenállás - Emitter alap (R2)
47 kOhms
DC áramnyereség (hFE) (min) @ ic, vce
80 @ 10mA, 5V
Vce telítettség (max) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 5mA
Áram - kollektor levágása (max.)
500nA
Teljesítmény - Max
150 mW
Szerelés típusa
Surface Mount
Csomag / tok
SOT-723
Beszállítói eszközcsomag
VESM
Alap termékszám
RN1104
Műszaki adatlap és dokumentumok
Adatlapok
További információk
Standard csomag
8,000
Egyéb nevek
RN1104MFVL3F(CTDKR
RN1104MFV,L3F(CB
RN1104MFVL3F(CTCT
RN1104MFVL3F(CTTR
Környezeti és Exportosztályozás
RoHS-állapot
ROHS3 Compliant
Nedvességérzékenységi szint (MSL)
1 (Unlimited)
REACH státusz
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Tanúsítvány
Kapcsolódó Termékek
RN1106,LF(CT
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
RN1113MFV,L3F
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
RN2309(TE85L,F)
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70