Gyártó Termékszám:
RN1103MFV,L3F(CT
Product Overview
Gyártó:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cikkszám:
RN1103MFV,L3F(CT-DG
Leírás:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Részletes leírás:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM
Készlet:
175 Új, eredeti, készleten lévő db
13275907
Ajánlatkérés
Mennyiség
Minimum 1
Minimum 1
9lla
(*) kötelező
24 órán belül válaszolunk Önnek
24 órán belül válaszolunk Önnek
KÜLDÉS
RN1103MFV,L3F(CT Műszaki jellemzők
Kategória
Bipoláris (BJT), Egyes, előfeszített bipoláris tranzisztorok
Gyártó
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Csomagolás
Tape & Reel (TR)
Sorozat
-
Termék állapota
Active
Tranzisztor típusa
NPN - Pre-Biased
Áram - kollektor (ic) (max)
100 mA
Feszültség - kollektor emitter meghibásodása (max)
50 V
Ellenállás - alap (R1)
22 kOhms
Ellenállás - Emitter alap (R2)
22 kOhms
DC áramnyereség (hFE) (min) @ ic, vce
70 @ 10mA, 5V
Vce telítettség (max) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 5mA
Áram - kollektor levágása (max.)
500nA
Teljesítmény - Max
150 mW
Szerelés típusa
Surface Mount
Csomag / tok
SOT-723
Beszállítói eszközcsomag
VESM
Alap termékszám
RN1103
Műszaki adatlap és dokumentumok
Adatlapok
További információk
Standard csomag
8,000
Egyéb nevek
264-RN1103MFVL3F(DKR
RN1103MFV,L3F(CB
264-RN1103MFVL3F(TR
264-RN1103MFVL3F(CT
Környezeti és Exportosztályozás
Nedvességérzékenységi szint (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Tanúsítvány
Kapcsolódó Termékek
RN1105MFV,L3F(CT
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
ADTC144VCAQ-13
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
DTC143ZUA-TP
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323