Gyártó Termékszám:
HN1C03FU-A(TE85L,F
Product Overview
Gyártó:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cikkszám:
HN1C03FU-A(TE85L,F-DG
Leírás:
TRANS 2NPN 20V 0.3A US6
Részletes leírás:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 20V 300mA 30MHz 200mW Surface Mount US6
Készlet:
12889810
Ajánlatkérés
Mennyiség
Minimum 1
Minimum 1
(*) kötelező
24 órán belül válaszolunk Önnek
24 órán belül válaszolunk Önnek
KÜLDÉS
HN1C03FU-A(TE85L,F Műszaki jellemzők
Kategória
Bipoláris (BJT), Bipoláris tranzisztor tömbök
Gyártó
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Csomagolás
Tape & Reel (TR)
Sorozat
-
Termék állapota
Active
Tranzisztor típusa
2 NPN (Dual)
Áram - kollektor (ic) (max)
300mA
Feszültség - kollektor emitter meghibásodása (max)
20V
Vce telítettség (max) @ Ib, Ic
100mV @ 3mA, 30mA
Áram - kollektor levágása (max.)
100nA (ICBO)
DC áramnyereség (hFE) (min) @ ic, vce
200 @ 4mA, 2V
Teljesítmény - Max
200mW
Frekvencia - átmenet
30MHz
Üzemi hőmérséklet
150°C (TJ)
Szerelés típusa
Surface Mount
Csomag / tok
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Beszállítói eszközcsomag
US6
Alap termékszám
HN1C03
Műszaki adatlap és dokumentumok
Adatlapok
További információk
Standard csomag
3,000
Egyéb nevek
HN1C03FU-A(TE85LFDKR
HN1C03FU-A(TE85LFCT
HN1C03FU-A(TE85LFTR
Környezeti és Exportosztályozás
RoHS-állapot
RoHS Compliant
Nedvességérzékenységi szint (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatív modellek
ALKATRÉSZ SZÁM
QSX8TR
GYÁRTÓ
Rohm Semiconductor
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
300
DiGi RÉSZ SZÁM
QSX8TR-DG
EGYSÉGÁR
0.17
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Similar
DIGI Tanúsítvány
Kapcsolódó Termékek
BC846ASQ-7-F
GENERAL PURPOSE TRANSISTOR SOT36
2SA1618-Y(TE85L,F)
TRANS 2PNP 50V 0.15A SMV
ULN2803ANG4
TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP
