Gyártó Termékszám:
STW26N65DM2
Product Overview
Gyártó:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Cikkszám:
STW26N65DM2-DG
Leírás:
MOSFET N-CH 650V 20A TO247
Részletes leírás:
N-Channel 650 V 20A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-247-3
Készlet:
12873398
Ajánlatkérés
Mennyiség
Minimum 1
Minimum 1
pcHz
(*) kötelező
24 órán belül válaszolunk Önnek
24 órán belül válaszolunk Önnek
KÜLDÉS
STW26N65DM2 Műszaki jellemzők
Kategória
FET-ek, MOSFET-ek, Egyszerű FET-ek, MOSFET-ek
Gyártó
STMicroelectronics
Csomagolás
Tube
Sorozat
MDmesh™ DM2
Termék állapota
Active
FET típus
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Leeresztés a forrásfeszültségig (Vdss)
650 V
Áram - folyamatos leeresztés (id) @ 25°C
20A (Tc)
Meghajtó feszültsége (Max Rds be, Min Rds be)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ azonosító
5V @ 250µA
Kapu töltése (qg) (max) @ vgs
35.5 nC @ 10 V
VGS (max.)
±25V
Bemeneti kapacitás (Ciss) (max) @ Vds
1480 pF @ 100 V
FET funkció
-
Teljesítményelnyelés (max.)
170W (Tc)
Üzemi hőmérséklet
-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelés típusa
Through Hole
Beszállítói eszközcsomag
TO-247-3
Csomag / tok
TO-247-3
Alap termékszám
STW26
Műszaki adatlap és dokumentumok
Adatlapok
További információk
Standard csomag
600
Környezeti és Exportosztályozás
RoHS-állapot
ROHS3 Compliant
REACH státusz
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatív modellek
ALKATRÉSZ SZÁM
FCH190N65F-F155
GYÁRTÓ
onsemi
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
415
DiGi RÉSZ SZÁM
FCH190N65F-F155-DG
EGYSÉGÁR
2.95
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Similar
ALKATRÉSZ SZÁM
SCT3120ALGC11
GYÁRTÓ
Rohm Semiconductor
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
6940
DiGi RÉSZ SZÁM
SCT3120ALGC11-DG
EGYSÉGÁR
4.30
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Similar
DIGI Tanúsítvány
Kapcsolódó Termékek
STP10NK62ZFP
MOSFET
STF15N80K5
MOSFET N-CH 800V 14A TO220FP
STB85NS04Z
MOSFET N-CH 33V 80A D2PAK
