Kezdőlap
Termékek
Gyártók
A DiGi-ról
Lépjen kapcsolatba velünk
Blogok és bejegyzések
Árajánlatkérés
Hungarian
Bejelentkezés
Szelektív nyelv
Jelenlegi nyelv az Ön választása:
Hungarian
Kapcsoló:
Angol
Európa
Egyesült Királyság
Kongói Demokratikus Köztársaság
Argentína
Törökország
Románia
Litvánia
Norvégia
Ausztria
Angola
Szlovákia
LTALY
Finnország
Fehéroroszország
Bulgária
Dánia
Észtország
Lengyelország
Ukrajna
Szlovénia
Cseh
Görög
Horvátország
Izrael
Montenegró
Orosz
Belgium
Svédország
Szerbia
Baszk
Izland
Bosznia
Magyar
Moldova
Németország
Hollandia
Írország
Ázsia / Csendes-óceán
Kína
Vietnam
Indonézia
Thaiföld
Laosz
Filippínó
Malajzia
Korea
Japán
Hongkong
Tajvan
Szingapúr
Pakisztán
Szaúd-Arábia
Katar
Kuvait
Kambodzsa
Mianmar
Afrika, India és Közel-Kelet
Egyesült Arab Emírségek
Tádzsikisztán
Madagaszkár
India
Irán
Franciaország
Dél-Afrika
Egyiptom
Kenya
Tanzánia
Ghána
Szenegál
Marokkó
Tunézia
Dél-Amerika / Óceánia
Új-Zéland
Portugália
Brazília
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolívia
Uruguay
Spanyolország
Paraguay
Ausztrália
Észak-Amerika
Egyesült Államok
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexikó
A DiGi-ról
Rólunk
Rólunk
Tanúsítványaink
Bevezetés
Miért DiGi
Szabályzat
Minőségi Politika
Felhasználási feltételek
RoHS megfelelőség
Visszatérési folyamat
Források
Termék kategóriák
Gyártók
Blogok és bejegyzések
Szolgáltatások
Minőségi garancia
Fizetési Mód
Globális Szállítás
Szállítási díjak
GYIK
Gyártó Termékszám:
SCTH50N120-7
Product Overview
Gyártó:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Cikkszám:
SCTH50N120-7-DG
Leírás:
SICFET N-CH 1200V 65A H2PAK-7
Részletes leírás:
N-Channel 1200 V 65A 270W (Tc) Surface Mount H2PAK-7
Készlet:
RFQ Online
12877144
Ajánlatkérés
Mennyiség
Minimum 1
*
Cég
*
Kapcsolattartó Név
*
Telefon
*
E-mail
Szállítási cím
Üzenet
f
p
A
r
(
*
) kötelező
24 órán belül válaszolunk Önnek
KÜLDÉS
SCTH50N120-7 Műszaki jellemzők
Kategória
FET-ek, MOSFET-ek, Egyszerű FET-ek, MOSFET-ek
Gyártó
STMicroelectronics
Csomagolás
-
Sorozat
-
Termék állapota
Obsolete
FET típus
N-Channel
Technológia
SiCFET (Silicon Carbide)
Leeresztés a forrásfeszültségig (Vdss)
1200 V
Áram - folyamatos leeresztés (id) @ 25°C
65A
Meghajtó feszültsége (Max Rds be, Min Rds be)
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
69mOhm @ 40A, 20V
vgs(th) (max) @ azonosító
5.1V @ 1mA
Kapu töltése (qg) (max) @ vgs
122 nC @ 20 V
VGS (max.)
+22V, -10V
Bemeneti kapacitás (Ciss) (max) @ Vds
1900 pF @ 400 V
FET funkció
-
Teljesítményelnyelés (max.)
270W (Tc)
Üzemi hőmérséklet
-55°C ~ 175°C (TJ)
Szerelés típusa
Surface Mount
Beszállítói eszközcsomag
H2PAK-7
Csomag / tok
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Alap termékszám
SCTH50
Műszaki adatlap és dokumentumok
Adatlapok
SCTH50N120-7
További információk
Standard csomag
1,000
Egyéb nevek
SCTH50N120-7-DG
497-SCTH50N120-7DKR
497-SCTH50N120-7CT
497-SCTH50N120-7TR
Környezeti és Exportosztályozás
REACH státusz
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatív modellek
ALKATRÉSZ SZÁM
SCTH60N120G2-7
GYÁRTÓ
STMicroelectronics
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
0
DiGi RÉSZ SZÁM
SCTH60N120G2-7-DG
EGYSÉGÁR
18.07
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
MFR Recommended
DIGI Tanúsítvány
Kapcsolódó Termékek
STF5N65M6
MOSFET N-CH 650V 4A TO-220FP
STD5N65M6
MOSFET N-CH 650V DPAK
STI360N4F6
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
STP33N65M2
MOSFET N-CH 650V 24A TO220