Gyártó Termékszám:
SCT3160KLGC11
Product Overview
Gyártó:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cikkszám:
SCT3160KLGC11-DG
Leírás:
SICFET N-CH 1200V 17A TO247N
Részletes leírás:
N-Channel 1200 V 17A (Tc) 103W (Tc) Through Hole TO-247N
Készlet:
2223 Új, eredeti, készleten lévő db
13527019
Ajánlatkérés
Mennyiség
Minimum 1
Minimum 1
(*) kötelező
24 órán belül válaszolunk Önnek
24 órán belül válaszolunk Önnek
KÜLDÉS
SCT3160KLGC11 Műszaki jellemzők
Kategória
FET-ek, MOSFET-ek, Egyszerű FET-ek, MOSFET-ek
Gyártó
ROHM Semiconductor
Csomagolás
Tube
Sorozat
-
Termék állapota
Active
FET típus
N-Channel
Technológia
SiCFET (Silicon Carbide)
Leeresztés a forrásfeszültségig (Vdss)
1200 V
Áram - folyamatos leeresztés (id) @ 25°C
17A (Tc)
Meghajtó feszültsége (Max Rds be, Min Rds be)
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
208mOhm @ 5A, 18V
vgs(th) (max) @ azonosító
5.6V @ 2.5mA
Kapu töltése (qg) (max) @ vgs
42 nC @ 18 V
VGS (max.)
+22V, -4V
Bemeneti kapacitás (Ciss) (max) @ Vds
398 pF @ 800 V
FET funkció
-
Teljesítményelnyelés (max.)
103W (Tc)
Üzemi hőmérséklet
175°C (TJ)
Szerelés típusa
Through Hole
Beszállítói eszközcsomag
TO-247N
Csomag / tok
TO-247-3
Alap termékszám
SCT3160
Műszaki adatlap és dokumentumok
Megbízhatósági dokumentumok
Tervezési erőforrások
Adatlapok
További információk
Standard csomag
30
Környezeti és Exportosztályozás
RoHS-állapot
ROHS3 Compliant
Nedvességérzékenységi szint (MSL)
1 (Unlimited)
REACH státusz
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Tanúsítvány
Kapcsolódó Termékek
RT1E050RPTR
MOSFET P-CH 30V 5A 8TSST
RQ6E040XNTCR
MOSFET N-CH 30V 4A TSMT6
RQ5P010SNTL
MOSFET N-CH 100V 1A TSMT3