Kezdőlap
Termékek
Gyártók
A DiGi-ról
Lépjen kapcsolatba velünk
Blogok és bejegyzések
Árajánlatkérés
Hungarian
Bejelentkezés
Szelektív nyelv
Jelenlegi nyelv az Ön választása:
Hungarian
Kapcsoló:
Angol
Európa
Egyesült Királyság
Kongói Demokratikus Köztársaság
Argentína
Törökország
Románia
Litvánia
Norvégia
Ausztria
Angola
Szlovákia
LTALY
Finnország
Fehéroroszország
Bulgária
Dánia
Észtország
Lengyelország
Ukrajna
Szlovénia
Cseh
Görög
Horvátország
Izrael
Montenegró
Orosz
Belgium
Svédország
Szerbia
Baszk
Izland
Bosznia
Magyar
Moldova
Németország
Hollandia
Írország
Ázsia / Csendes-óceán
Kína
Vietnam
Indonézia
Thaiföld
Laosz
Filippínó
Malajzia
Korea
Japán
Hongkong
Tajvan
Szingapúr
Pakisztán
Szaúd-Arábia
Katar
Kuvait
Kambodzsa
Mianmar
Afrika, India és Közel-Kelet
Egyesült Arab Emírségek
Tádzsikisztán
Madagaszkár
India
Irán
Franciaország
Dél-Afrika
Egyiptom
Kenya
Tanzánia
Ghána
Szenegál
Marokkó
Tunézia
Dél-Amerika / Óceánia
Új-Zéland
Portugália
Brazília
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolívia
Uruguay
Spanyolország
Paraguay
Ausztrália
Észak-Amerika
Egyesült Államok
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexikó
A DiGi-ról
Rólunk
Rólunk
Tanúsítványaink
Bevezetés
Miért DiGi
Szabályzat
Minőségi Politika
Felhasználási feltételek
RoHS megfelelőség
Visszatérési folyamat
Források
Termék kategóriák
Gyártók
Blogok és bejegyzések
Szolgáltatások
Minőségi garancia
Fizetési Mód
Globális Szállítás
Szállítási díjak
GYIK
Gyártó Termékszám:
SCT3160KLGC11
Product Overview
Gyártó:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cikkszám:
SCT3160KLGC11-DG
Leírás:
SICFET N-CH 1200V 17A TO247N
Részletes leírás:
N-Channel 1200 V 17A (Tc) 103W (Tc) Through Hole TO-247N
Készlet:
2223 Új, eredeti, készleten lévő db
13527019
Ajánlatkérés
Mennyiség
Minimum 1
*
Cég
*
Kapcsolattartó Név
*
Telefon
*
E-mail
Szállítási cím
Üzenet
(
*
) kötelező
24 órán belül válaszolunk Önnek
KÜLDÉS
SCT3160KLGC11 Műszaki jellemzők
Kategória
FET-ek, MOSFET-ek, Egyszerű FET-ek, MOSFET-ek
Gyártó
ROHM Semiconductor
Csomagolás
Tube
Sorozat
-
Termék állapota
Active
FET típus
N-Channel
Technológia
SiCFET (Silicon Carbide)
Leeresztés a forrásfeszültségig (Vdss)
1200 V
Áram - folyamatos leeresztés (id) @ 25°C
17A (Tc)
Meghajtó feszültsége (Max Rds be, Min Rds be)
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
208mOhm @ 5A, 18V
vgs(th) (max) @ azonosító
5.6V @ 2.5mA
Kapu töltése (qg) (max) @ vgs
42 nC @ 18 V
VGS (max.)
+22V, -4V
Bemeneti kapacitás (Ciss) (max) @ Vds
398 pF @ 800 V
FET funkció
-
Teljesítményelnyelés (max.)
103W (Tc)
Üzemi hőmérséklet
175°C (TJ)
Szerelés típusa
Through Hole
Beszállítói eszközcsomag
TO-247N
Csomag / tok
TO-247-3
Alap termékszám
SCT3160
Műszaki adatlap és dokumentumok
Megbízhatósági dokumentumok
MOS-3GTHD Reliability Test
Tervezési erőforrások
TO-247N Inner Structure
Adatlapok
SCT3160KLGC11
TO-247N Taping Spec
További információk
Standard csomag
30
Környezeti és Exportosztályozás
RoHS-állapot
ROHS3 Compliant
Nedvességérzékenységi szint (MSL)
1 (Unlimited)
REACH státusz
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Tanúsítvány
Kapcsolódó Termékek
RT1E050RPTR
MOSFET P-CH 30V 5A 8TSST
RQ6E040XNTCR
MOSFET N-CH 30V 4A TSMT6
RQ5P010SNTL
MOSFET N-CH 100V 1A TSMT3
RSQ025P03TR
MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT6