Kezdőlap
Termékek
Gyártók
A DiGi-ról
Lépjen kapcsolatba velünk
Blogok és bejegyzések
Árajánlatkérés
Hungarian
Bejelentkezés
Szelektív nyelv
Jelenlegi nyelv az Ön választása:
Hungarian
Kapcsoló:
Angol
Európa
Egyesült Királyság
Kongói Demokratikus Köztársaság
Argentína
Törökország
Románia
Litvánia
Norvégia
Ausztria
Angola
Szlovákia
LTALY
Finnország
Fehéroroszország
Bulgária
Dánia
Észtország
Lengyelország
Ukrajna
Szlovénia
Cseh
Görög
Horvátország
Izrael
Montenegró
Orosz
Belgium
Svédország
Szerbia
Baszk
Izland
Bosznia
Magyar
Moldova
Németország
Hollandia
Írország
Ázsia / Csendes-óceán
Kína
Vietnam
Indonézia
Thaiföld
Laosz
Filippínó
Malajzia
Korea
Japán
Hongkong
Tajvan
Szingapúr
Pakisztán
Szaúd-Arábia
Katar
Kuvait
Kambodzsa
Mianmar
Afrika, India és Közel-Kelet
Egyesült Arab Emírségek
Tádzsikisztán
Madagaszkár
India
Irán
Franciaország
Dél-Afrika
Egyiptom
Kenya
Tanzánia
Ghána
Szenegál
Marokkó
Tunézia
Dél-Amerika / Óceánia
Új-Zéland
Portugália
Brazília
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolívia
Uruguay
Spanyolország
Paraguay
Ausztrália
Észak-Amerika
Egyesült Államok
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexikó
A DiGi-ról
Rólunk
Rólunk
Tanúsítványaink
Bevezetés
Miért DiGi
Szabályzat
Minőségi Politika
Felhasználási feltételek
RoHS megfelelőség
Visszatérési folyamat
Források
Termék kategóriák
Gyártók
Blogok és bejegyzések
Szolgáltatások
Minőségi garancia
Fizetési Mód
Globális Szállítás
Szállítási díjak
GYIK
Gyártó Termékszám:
SCT3080ALHRC11
Product Overview
Gyártó:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cikkszám:
SCT3080ALHRC11-DG
Leírás:
SICFET N-CH 650V 30A TO247N
Részletes leírás:
N-Channel 650 V 30A (Tc) 134W Through Hole TO-247N
Készlet:
458 Új, eredeti, készleten lévő db
13527233
Ajánlatkérés
Mennyiség
Minimum 1
*
Cég
*
Kapcsolattartó Név
*
Telefon
*
E-mail
Szállítási cím
Üzenet
(
*
) kötelező
24 órán belül válaszolunk Önnek
KÜLDÉS
SCT3080ALHRC11 Műszaki jellemzők
Kategória
FET-ek, MOSFET-ek, Egyszerű FET-ek, MOSFET-ek
Gyártó
ROHM Semiconductor
Csomagolás
Tube
Sorozat
-
Termék állapota
Active
FET típus
N-Channel
Technológia
SiCFET (Silicon Carbide)
Leeresztés a forrásfeszültségig (Vdss)
650 V
Áram - folyamatos leeresztés (id) @ 25°C
30A (Tc)
Meghajtó feszültsége (Max Rds be, Min Rds be)
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
104mOhm @ 10A, 18V
vgs(th) (max) @ azonosító
5.6V @ 5mA
Kapu töltése (qg) (max) @ vgs
48 nC @ 18 V
VGS (max.)
+22V, -4V
Bemeneti kapacitás (Ciss) (max) @ Vds
571 pF @ 500 V
FET funkció
-
Teljesítményelnyelés (max.)
134W
Üzemi hőmérséklet
175°C (TJ)
Fokozat
Automotive
Minősítés
AEC-Q101
Szerelés típusa
Through Hole
Beszállítói eszközcsomag
TO-247N
Csomag / tok
TO-247-3
Alap termékszám
SCT3080
Műszaki adatlap és dokumentumok
Adatlapok
SCT3080ALHRC11
További információk
Standard csomag
30
Környezeti és Exportosztályozás
RoHS-állapot
ROHS3 Compliant
Nedvességérzékenységi szint (MSL)
1 (Unlimited)
REACH státusz
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Tanúsítvány
Kapcsolódó Termékek
R6015KNJTL
MOSFET N-CH 600V 15A LPTS
RSJ400N06TL
MOSFET N-CH 60V 40A LPTS
RD3L220SNFRATL
MOSFET N-CH 60V 22A TO252
RJ1G08CGNTLL
MOSFET N-CH 40V 80A LPTL