Kezdőlap
Termékek
Gyártók
A DiGi-ról
Lépjen kapcsolatba velünk
Blogok és bejegyzések
Árajánlatkérés
Hungarian
Bejelentkezés
Szelektív nyelv
Jelenlegi nyelv az Ön választása:
Hungarian
Kapcsoló:
Angol
Európa
Egyesült Királyság
Franciaország
Spanyolország
Törökország
Moldova
Litvánia
Norvégia
Németország
Portugália
Szlovákia
Olaszország
Finnország
Orosz
Bulgária
Dánia
Észtország
Lengyelország
Ukrajna
Szlovénia
Cseh
Görög
Horvátország
Izrael
Szerbia
Fehéroroszország
Hollandia
Svédország
Montenegró
Baszk
Izland
Bosznia
Magyar
Románia
Ausztria
Belgium
Írország
Ázsia / Csendes-óceáni térség
Kína
Vietnam
Indonézia
Thaiföld
Laosz
Filippínó
Malajzia
Korea
Japán
Hongkong
Tajvan
Szingapúr
Pakisztán
Szaúd-Arábia
Katar
Kuvait
Kambodzsa
Mianmar
Afrika, India és a Közel-Kelet
Egyesült Arab Emírségek
Tádzsikisztán
Madagaszkár
India
Irán
Kongói Demokratikus Köztársaság
Dél-Afrika
Egyiptom
Kenya
Tanzánia
Ghána
Szenegál
Marokkó
Tunézia
Dél-Amerika / Óceánia
Új-Zéland
Angola
Brazília
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolívia
Uruguay
Argentína
Paraguay
Ausztrália
Észak-Amerika
Egyesült Államok
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexikó
A DiGi-ról
Rólunk
Rólunk
Tanúsítványaink
Bevezetés
Miért DiGi
Szabályzat
Minőségi Politika
Felhasználási feltételek
RoHS megfelelőség
Visszatérési folyamat
Források
Termék kategóriák
Gyártók
Blogok és bejegyzések
Szolgáltatások
Minőségi garancia
Fizetési Mód
Globális Szállítás
Szállítási díjak
GYIK
Gyártó Termékszám:
RV2C002UNT2L
Product Overview
Gyártó:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cikkszám:
RV2C002UNT2L-DG
Leírás:
MOSFET N-CH 20V 180MA DFN1006-3
Részletes leírás:
N-Channel 20 V 180mA (Ta) 100mW (Ta) Surface Mount VML1006
Készlet:
27819 Új, eredeti, készleten lévő db
13526587
Ajánlatkérés
Mennyiség
Minimum 1
*
Cég
*
Kapcsolattartó Név
*
Telefon
*
E-mail
Szállítási cím
Üzenet
5
R
z
U
(
*
) kötelező
24 órán belül válaszolunk Önnek
KÜLDÉS
RV2C002UNT2L Műszaki jellemzők
Kategória
FET-ek, MOSFET-ek, Egyszerű FET-ek, MOSFET-ek
Gyártó
ROHM Semiconductor
Csomagolás
Tape & Reel (TR)
Sorozat
-
Termék állapota
Active
FET típus
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Leeresztés a forrásfeszültségig (Vdss)
20 V
Áram - folyamatos leeresztés (id) @ 25°C
180mA (Ta)
Meghajtó feszültsége (Max Rds be, Min Rds be)
1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2Ohm @ 150mA, 4.5V
vgs(th) (max) @ azonosító
1V @ 100µA
VGS (max.)
±10V
Bemeneti kapacitás (Ciss) (max) @ Vds
12 pF @ 10 V
FET funkció
-
Teljesítményelnyelés (max.)
100mW (Ta)
Üzemi hőmérséklet
150°C (TJ)
Szerelés típusa
Surface Mount
Beszállítói eszközcsomag
VML1006
Csomag / tok
SC-101, SOT-883
Alap termékszám
RV2C002
Műszaki adatlap és dokumentumok
Megbízhatósági dokumentumok
VML0806 MOS Reliability Test
Adatlapok
RV2C002UNT2L
VML1006 T2L Taping Spec
További információk
Standard csomag
8,000
Egyéb nevek
RV2C002UNT2LTR
RV2C002UNT2LCT
RV2C002UNT2LDKR
Környezeti és Exportosztályozás
RoHS-állapot
ROHS3 Compliant
Nedvességérzékenységi szint (MSL)
1 (Unlimited)
REACH státusz
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Tanúsítvány
Kapcsolódó Termékek
RCD050N20TL
MOSFET N-CH 200V 5A CPT3
RSY200N05TL
MOSFET N-CH 45V 20A TCPT3
RE1C002UNTCL
MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
RZM002P02T2L
MOSFET P-CH 20V 200MA VMT3