Kezdőlap
Termékek
Gyártók
A DiGi-ról
Lépjen kapcsolatba velünk
Blogok és bejegyzések
Árajánlatkérés
Hungarian
Bejelentkezés
Szelektív nyelv
Jelenlegi nyelv az Ön választása:
Hungarian
Kapcsoló:
Angol
Európa
Egyesült Királyság
Kongói Demokratikus Köztársaság
Argentína
Törökország
Románia
Litvánia
Norvégia
Ausztria
Angola
Szlovákia
LTALY
Finnország
Fehéroroszország
Bulgária
Dánia
Észtország
Lengyelország
Ukrajna
Szlovénia
Cseh
Görög
Horvátország
Izrael
Montenegró
Orosz
Belgium
Svédország
Szerbia
Baszk
Izland
Bosznia
Magyar
Moldova
Németország
Hollandia
Írország
Ázsia / Csendes-óceán
Kína
Vietnam
Indonézia
Thaiföld
Laosz
Filippínó
Malajzia
Korea
Japán
Hongkong
Tajvan
Szingapúr
Pakisztán
Szaúd-Arábia
Katar
Kuvait
Kambodzsa
Mianmar
Afrika, India és Közel-Kelet
Egyesült Arab Emírségek
Tádzsikisztán
Madagaszkár
India
Irán
Franciaország
Dél-Afrika
Egyiptom
Kenya
Tanzánia
Ghána
Szenegál
Marokkó
Tunézia
Dél-Amerika / Óceánia
Új-Zéland
Portugália
Brazília
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolívia
Uruguay
Spanyolország
Paraguay
Ausztrália
Észak-Amerika
Egyesült Államok
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexikó
A DiGi-ról
Rólunk
Rólunk
Tanúsítványaink
Bevezetés
Miért DiGi
Szabályzat
Minőségi Politika
Felhasználási feltételek
RoHS megfelelőség
Visszatérési folyamat
Források
Termék kategóriák
Gyártók
Blogok és bejegyzések
Szolgáltatások
Minőségi garancia
Fizetési Mód
Globális Szállítás
Szállítási díjak
GYIK
Gyártó Termékszám:
RSQ020N03HZGTR
Product Overview
Gyártó:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cikkszám:
RSQ020N03HZGTR-DG
Leírás:
MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6
Részletes leírás:
N-Channel 30 V 2A (Ta) 950mW (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95)
Készlet:
1230 Új, eredeti, készleten lévő db
12818193
Ajánlatkérés
Mennyiség
Minimum 1
*
Cég
*
Kapcsolattartó Név
*
Telefon
*
E-mail
Szállítási cím
Üzenet
(
*
) kötelező
24 órán belül válaszolunk Önnek
KÜLDÉS
RSQ020N03HZGTR Műszaki jellemzők
Kategória
FET-ek, MOSFET-ek, Egyszerű FET-ek, MOSFET-ek
Gyártó
ROHM Semiconductor
Csomagolás
Tape & Reel (TR)
Sorozat
-
Termék állapota
Active
FET típus
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Leeresztés a forrásfeszültségig (Vdss)
30 V
Áram - folyamatos leeresztés (id) @ 25°C
2A (Ta)
Meghajtó feszültsége (Max Rds be, Min Rds be)
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
134mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (max) @ azonosító
2.5V @ 1mA
Kapu töltése (qg) (max) @ vgs
3.1 nC @ 5 V
VGS (max.)
±20V
Bemeneti kapacitás (Ciss) (max) @ Vds
110 pF @ 10 V
FET funkció
-
Teljesítményelnyelés (max.)
950mW (Ta)
Üzemi hőmérséklet
150°C (TJ)
Fokozat
Automotive
Minősítés
AEC-Q101
Szerelés típusa
Surface Mount
Beszállítói eszközcsomag
TSMT6 (SC-95)
Csomag / tok
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Alap termékszám
RSQ020
Műszaki adatlap és dokumentumok
Adatlapok
RSQ020N03HZGTR
HTML Adatlap
RSQ020N03HZGTR-DG
További információk
Standard csomag
3,000
Egyéb nevek
846-RSQ020N03HZGDKR
846-RSQ020N03HZGTR
846-RSQ020N03HZGCT
Környezeti és Exportosztályozás
RoHS-állapot
ROHS3 Compliant
Nedvességérzékenységi szint (MSL)
1 (Unlimited)
REACH státusz
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Tanúsítvány
Kapcsolódó Termékek
RTR030N05HZGTL
MOSFET N-CH 45V 3A TSMT3
US6U37TR
MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT6
RMW130N03TB
MOSFET N-CH 30V 13A 8PSOP
RS1E280GNTB
MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP