Gyártó Termékszám:
RS6G120BGTB1
Product Overview
Gyártó:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cikkszám:
RS6G120BGTB1-DG
Leírás:
NCH 40V 210A, HSOP8, POWER MOSFE
Részletes leírás:
N-Channel 40 V 120A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
Készlet:
2094 Új, eredeti, készleten lévő db
12976581
Ajánlatkérés
Mennyiség
Minimum 1
Minimum 1
(*) kötelező
24 órán belül válaszolunk Önnek
24 órán belül válaszolunk Önnek
KÜLDÉS
RS6G120BGTB1 Műszaki jellemzők
Kategória
FET-ek, MOSFET-ek, Egyszerű FET-ek, MOSFET-ek
Gyártó
ROHM Semiconductor
Csomagolás
Tape & Reel (TR)
Sorozat
-
Termék állapota
Active
FET típus
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Leeresztés a forrásfeszültségig (Vdss)
40 V
Áram - folyamatos leeresztés (id) @ 25°C
120A (Tc)
Meghajtó feszültsége (Max Rds be, Min Rds be)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.34mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (max) @ azonosító
2.5V @ 1mA
Kapu töltése (qg) (max) @ vgs
67 nC @ 10 V
VGS (max.)
±20V
Bemeneti kapacitás (Ciss) (max) @ Vds
4240 pF @ 20 V
FET funkció
-
Teljesítményelnyelés (max.)
104W (Tc)
Üzemi hőmérséklet
150°C (TJ)
Szerelés típusa
Surface Mount
Beszállítói eszközcsomag
8-HSOP
Csomag / tok
8-PowerTDFN
Alap termékszám
RS6G
Műszaki adatlap és dokumentumok
Adatlapok
További információk
Standard csomag
2,500
Egyéb nevek
846-RS6G120BGTB1TR
846-RS6G120BGTB1DKR
846-RS6G120BGTB1CT
Környezeti és Exportosztályozás
RoHS-állapot
ROHS3 Compliant
Nedvességérzékenységi szint (MSL)
1 (Unlimited)
REACH státusz
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Tanúsítvány
Kapcsolódó Termékek
GPIHV7DK
GaNFET N-CH 1200V 7A TO252
IPLK60R1K0PFD7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 5.2A THIN-PAK
TKR74F04PB,LXGQ
MOSFET N-CH 40V 250A TO220SM
