Kezdőlap
Termékek
Gyártók
A DiGi-ról
Lépjen kapcsolatba velünk
Blogok és bejegyzések
Árajánlatkérés
Hungarian
Bejelentkezés
Szelektív nyelv
Jelenlegi nyelv az Ön választása:
Hungarian
Kapcsoló:
Angol
Európa
Egyesült Királyság
Kongói Demokratikus Köztársaság
Argentína
Törökország
Románia
Litvánia
Norvégia
Ausztria
Angola
Szlovákia
LTALY
Finnország
Fehéroroszország
Bulgária
Dánia
Észtország
Lengyelország
Ukrajna
Szlovénia
Cseh
Görög
Horvátország
Izrael
Montenegró
Orosz
Belgium
Svédország
Szerbia
Baszk
Izland
Bosznia
Magyar
Moldova
Németország
Hollandia
Írország
Ázsia / Csendes-óceán
Kína
Vietnam
Indonézia
Thaiföld
Laosz
Filippínó
Malajzia
Korea
Japán
Hongkong
Tajvan
Szingapúr
Pakisztán
Szaúd-Arábia
Katar
Kuvait
Kambodzsa
Mianmar
Afrika, India és Közel-Kelet
Egyesült Arab Emírségek
Tádzsikisztán
Madagaszkár
India
Irán
Franciaország
Dél-Afrika
Egyiptom
Kenya
Tanzánia
Ghána
Szenegál
Marokkó
Tunézia
Dél-Amerika / Óceánia
Új-Zéland
Portugália
Brazília
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolívia
Uruguay
Spanyolország
Paraguay
Ausztrália
Észak-Amerika
Egyesült Államok
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexikó
A DiGi-ról
Rólunk
Rólunk
Tanúsítványaink
Bevezetés
Miért DiGi
Szabályzat
Minőségi Politika
Felhasználási feltételek
RoHS megfelelőség
Visszatérési folyamat
Források
Termék kategóriák
Gyártók
Blogok és bejegyzések
Szolgáltatások
Minőségi garancia
Fizetési Mód
Globális Szállítás
Szállítási díjak
GYIK
Gyártó Termékszám:
R6009ENX
Product Overview
Gyártó:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cikkszám:
R6009ENX-DG
Leírás:
MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM
Részletes leírás:
N-Channel 600 V 9A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220FM
Készlet:
395 Új, eredeti, készleten lévő db
13524402
Ajánlatkérés
Mennyiség
Minimum 1
*
Cég
*
Kapcsolattartó Név
*
Telefon
*
E-mail
Szállítási cím
Üzenet
(
*
) kötelező
24 órán belül válaszolunk Önnek
KÜLDÉS
R6009ENX Műszaki jellemzők
Kategória
FET-ek, MOSFET-ek, Egyszerű FET-ek, MOSFET-ek
Gyártó
ROHM Semiconductor
Csomagolás
Bulk
Sorozat
-
Termék állapota
Active
FET típus
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Leeresztés a forrásfeszültségig (Vdss)
600 V
Áram - folyamatos leeresztés (id) @ 25°C
9A (Tc)
Meghajtó feszültsége (Max Rds be, Min Rds be)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
535mOhm @ 2.8A, 10V
vgs(th) (max) @ azonosító
4V @ 1mA
Kapu töltése (qg) (max) @ vgs
23 nC @ 10 V
VGS (max.)
±20V
Bemeneti kapacitás (Ciss) (max) @ Vds
430 pF @ 25 V
FET funkció
-
Teljesítményelnyelés (max.)
40W (Tc)
Üzemi hőmérséklet
150°C (TJ)
Szerelés típusa
Through Hole
Beszállítói eszközcsomag
TO-220FM
Csomag / tok
TO-220-3 Full Pack
Alap termékszám
R6009
Műszaki adatlap és dokumentumok
Adatlapok
R6009ENX
További információk
Standard csomag
500
Egyéb nevek
R6009ENXCT
R6009ENXCT-ND
Környezeti és Exportosztályozás
RoHS-állapot
ROHS3 Compliant
Nedvességérzékenységi szint (MSL)
1 (Unlimited)
REACH státusz
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatív modellek
ALKATRÉSZ SZÁM
SPA11N80C3XKSA1
GYÁRTÓ
Infineon Technologies
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
2180
DiGi RÉSZ SZÁM
SPA11N80C3XKSA1-DG
EGYSÉGÁR
1.26
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Similar
ALKATRÉSZ SZÁM
FCPF600N60Z
GYÁRTÓ
Fairchild Semiconductor
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
171833
DiGi RÉSZ SZÁM
FCPF600N60Z-DG
EGYSÉGÁR
1.20
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Similar
ALKATRÉSZ SZÁM
STF11N60DM2
GYÁRTÓ
STMicroelectronics
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
2966
DiGi RÉSZ SZÁM
STF11N60DM2-DG
EGYSÉGÁR
0.70
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Similar
ALKATRÉSZ SZÁM
IPA70R450P7SXKSA1
GYÁRTÓ
Infineon Technologies
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
1
DiGi RÉSZ SZÁM
IPA70R450P7SXKSA1-DG
EGYSÉGÁR
1.11
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Similar
ALKATRÉSZ SZÁM
TK8A60W,S4VX
GYÁRTÓ
Toshiba Semiconductor and Storage
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
48
DiGi RÉSZ SZÁM
TK8A60W,S4VX-DG
EGYSÉGÁR
1.06
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Similar
DIGI Tanúsítvány
Kapcsolódó Termékek
RSH100N03TB1
MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP
RTR020N05TL
MOSFET N-CH 45V 2A TSMT3
R6076MNZ1C9
MOSFET N-CHANNEL 600V 76A TO247
RS1E321GNTB1
MOSFET N-CH 30V 32A/80A 8HSOP