Kezdőlap
Termékek
Gyártók
A DiGi-ról
Lépjen kapcsolatba velünk
Blogok és bejegyzések
Árajánlatkérés
Hungarian
Bejelentkezés
Szelektív nyelv
Jelenlegi nyelv az Ön választása:
Hungarian
Kapcsoló:
Angol
Európa
Egyesült Királyság
Franciaország
Spanyolország
Törökország
Moldova
Litvánia
Norvégia
Németország
Portugália
Szlovákia
Olaszország
Finnország
Orosz
Bulgária
Dánia
Észtország
Lengyelország
Ukrajna
Szlovénia
Cseh
Görög
Horvátország
Izrael
Szerbia
Fehéroroszország
Hollandia
Svédország
Montenegró
Baszk
Izland
Bosznia
Magyar
Románia
Ausztria
Belgium
Írország
Ázsia / Csendes-óceáni térség
Kína
Vietnam
Indonézia
Thaiföld
Laosz
Filippínó
Malajzia
Korea
Japán
Hongkong
Tajvan
Szingapúr
Pakisztán
Szaúd-Arábia
Katar
Kuvait
Kambodzsa
Mianmar
Afrika, India és a Közel-Kelet
Egyesült Arab Emírségek
Tádzsikisztán
Madagaszkár
India
Irán
Kongói Demokratikus Köztársaság
Dél-Afrika
Egyiptom
Kenya
Tanzánia
Ghána
Szenegál
Marokkó
Tunézia
Dél-Amerika / Óceánia
Új-Zéland
Angola
Brazília
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolívia
Uruguay
Argentína
Paraguay
Ausztrália
Észak-Amerika
Egyesült Államok
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexikó
A DiGi-ról
Rólunk
Rólunk
Tanúsítványaink
Bevezetés
Miért DiGi
Szabályzat
Minőségi Politika
Felhasználási feltételek
RoHS megfelelőség
Visszatérési folyamat
Források
Termék kategóriák
Gyártók
Blogok és bejegyzések
Szolgáltatások
Minőségi garancia
Fizetési Mód
Globális Szállítás
Szállítási díjak
GYIK
Gyártó Termékszám:
QH8MA2TCR
Product Overview
Gyártó:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cikkszám:
QH8MA2TCR-DG
Leírás:
MOSFET N/P-CH 30V 4.5A/3A TSMT8
Részletes leírás:
Mosfet Array 30V 4.5A, 3A 1.25W Surface Mount TSMT8
Készlet:
1528 Új, eredeti, készleten lévő db
13526190
Ajánlatkérés
Mennyiség
Minimum 1
*
Cég
*
Kapcsolattartó Név
*
Telefon
*
E-mail
Szállítási cím
Üzenet
(
*
) kötelező
24 órán belül válaszolunk Önnek
KÜLDÉS
QH8MA2TCR Műszaki jellemzők
Kategória
FET-ek, MOSFET-ek, FET, MOSFET tömbök
Gyártó
ROHM Semiconductor
Csomagolás
Tape & Reel (TR)
Sorozat
-
Termék állapota
Active
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguráció
N and P-Channel
FET funkció
Logic Level Gate
Leeresztés a forrásfeszültségig (Vdss)
30V
Áram - folyamatos leeresztés (id) @ 25°C
4.5A, 3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
35mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (max) @ azonosító
2.5V @ 1mA
Kapu töltése (qg) (max) @ vgs
8.4nC @ 10V
Bemeneti kapacitás (Ciss) (max) @ Vds
365pF @ 10V
Teljesítmény - Max
1.25W
Üzemi hőmérséklet
150°C (TJ)
Szerelés típusa
Surface Mount
Csomag / tok
8-SMD, Flat Lead
Beszállítói eszközcsomag
TSMT8
Alap termékszám
QH8MA2
Műszaki adatlap és dokumentumok
Tervezési erőforrások
TSMT8DCu Inner Structure
Adatlapok
QH8MA2TCR
TSMT8 TR Taping Spec
További információk
Standard csomag
3,000
Egyéb nevek
QH8MA2TCRTR
QH8MA2TCRCT
QH8MA2TCRDKR
Környezeti és Exportosztályozás
RoHS-állapot
ROHS3 Compliant
Nedvességérzékenységi szint (MSL)
1 (Unlimited)
REACH státusz
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Tanúsítvány
Kapcsolódó Termékek
QH8JA1TCR
MOSFET 2P-CH 20V 5A TSMT8
SP8M7TB
MOSFET N/P-CH 30V 5A/7A 8SOP
QS8K21TR
MOSFET 2N-CH 45V 4A TSMT8
QS6M3TR
MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6