Kezdőlap
Termékek
Gyártók
A DiGi-ról
Lépjen kapcsolatba velünk
Blogok és bejegyzések
Árajánlatkérés
Hungarian
Bejelentkezés
Szelektív nyelv
Jelenlegi nyelv az Ön választása:
Hungarian
Kapcsoló:
Angol
Európa
Egyesült Királyság
Franciaország
Spanyolország
Törökország
Moldova
Litvánia
Norvégia
Németország
Portugália
Szlovákia
Olaszország
Finnország
Orosz
Bulgária
Dánia
Észtország
Lengyelország
Ukrajna
Szlovénia
Cseh
Görög
Horvátország
Izrael
Szerbia
Fehéroroszország
Hollandia
Svédország
Montenegró
Baszk
Izland
Bosznia
Magyar
Románia
Ausztria
Belgium
Írország
Ázsia / Csendes-óceáni térség
Kína
Vietnam
Indonézia
Thaiföld
Laosz
Filippínó
Malajzia
Korea
Japán
Hongkong
Tajvan
Szingapúr
Pakisztán
Szaúd-Arábia
Katar
Kuvait
Kambodzsa
Mianmar
Afrika, India és a Közel-Kelet
Egyesült Arab Emírségek
Tádzsikisztán
Madagaszkár
India
Irán
Kongói Demokratikus Köztársaság
Dél-Afrika
Egyiptom
Kenya
Tanzánia
Ghána
Szenegál
Marokkó
Tunézia
Dél-Amerika / Óceánia
Új-Zéland
Angola
Brazília
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolívia
Uruguay
Argentína
Paraguay
Ausztrália
Észak-Amerika
Egyesült Államok
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexikó
A DiGi-ról
Rólunk
Rólunk
Tanúsítványaink
Bevezetés
Miért DiGi
Szabályzat
Minőségi Politika
Felhasználási feltételek
RoHS megfelelőség
Visszatérési folyamat
Források
Termék kategóriák
Gyártók
Blogok és bejegyzések
Szolgáltatások
Minőségi garancia
Fizetési Mód
Globális Szállítás
Szállítási díjak
GYIK
Gyártó Termékszám:
IMB4AT110
Product Overview
Gyártó:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cikkszám:
IMB4AT110-DG
Leírás:
TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
Részletes leírás:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6
Készlet:
RFQ Online
13526242
Ajánlatkérés
Mennyiség
Minimum 1
*
Cég
*
Kapcsolattartó Név
*
Telefon
*
E-mail
Szállítási cím
Üzenet
(
*
) kötelező
24 órán belül válaszolunk Önnek
KÜLDÉS
IMB4AT110 Műszaki jellemzők
Kategória
Bipoláris (BJT), Bipoláris tranzisztor sorozatok, előre torzítva
Gyártó
ROHM Semiconductor
Csomagolás
Tape & Reel (TR)
Sorozat
-
Termék állapota
Not For New Designs
Tranzisztor típusa
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Áram - kollektor (ic) (max)
100mA
Feszültség - kollektor emitter meghibásodása (max)
50V
Ellenállás - alap (R1)
10kOhms
Ellenállás - Emitter alap (R2)
-
DC áramnyereség (hFE) (min) @ ic, vce
100 @ 1mA, 5V
Vce telítettség (max) @ Ib, Ic
300mV @ 1mA, 10mA
Áram - kollektor levágása (max.)
-
Frekvencia - átmenet
250MHz
Teljesítmény - Max
300mW
Szerelés típusa
Surface Mount
Csomag / tok
SC-74, SOT-457
Beszállítói eszközcsomag
SMT6
Alap termékszám
IMB4
Műszaki adatlap és dokumentumok
Adatlapok
EMB3
További információk
Standard csomag
3,000
Egyéb nevek
IMB4AT110TR
IMB4AT110DKR
IMB4AT110-ND
IMB4AT110CT
Környezeti és Exportosztályozás
RoHS-állapot
ROHS3 Compliant
Nedvességérzékenységi szint (MSL)
1 (Unlimited)
REACH státusz
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatív modellek
ALKATRÉSZ SZÁM
DDA114TU-7-F
GYÁRTÓ
Diodes Incorporated
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
4294
DiGi RÉSZ SZÁM
DDA114TU-7-F-DG
EGYSÉGÁR
0.03
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Similar
DIGI Tanúsítvány
Kapcsolódó Termékek
UMB4NFHATN
PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (CORR
UMD5NTR
TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6
UMG7NTR
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5
UMG3NTR
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5