Gyártó Termékszám:
HS8K11TB
Product Overview
Gyártó:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cikkszám:
HS8K11TB-DG
Leírás:
MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML
Részletes leírás:
Mosfet Array 30V 7A, 11A 2W Surface Mount HSML3030L10
Készlet:
1372 Új, eredeti, készleten lévő db
13524843
Ajánlatkérés
Mennyiség
Minimum 1
Minimum 1
(*) kötelező
24 órán belül válaszolunk Önnek
24 órán belül válaszolunk Önnek
KÜLDÉS
HS8K11TB Műszaki jellemzők
Kategória
FET-ek, MOSFET-ek, FET, MOSFET tömbök
Gyártó
ROHM Semiconductor
Csomagolás
Tape & Reel (TR)
Sorozat
-
Termék állapota
Active
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguráció
2 N-Channel (Dual)
FET funkció
Logic Level Gate
Leeresztés a forrásfeszültségig (Vdss)
30V
Áram - folyamatos leeresztés (id) @ 25°C
7A, 11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
17.9mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (max) @ azonosító
2.5V @ 1mA
Kapu töltése (qg) (max) @ vgs
11.1nC @ 10V
Bemeneti kapacitás (Ciss) (max) @ Vds
500pF @ 15V
Teljesítmény - Max
2W
Üzemi hőmérséklet
150°C (TJ)
Szerelés típusa
Surface Mount
Csomag / tok
8-UDFN Exposed Pad
Beszállítói eszközcsomag
HSML3030L10
Alap termékszám
HS8K11
Műszaki adatlap és dokumentumok
Adatlapok
További információk
Standard csomag
3,000
Egyéb nevek
HS8K11TBDKR
HS8K11TBCT
HS8K11TBTR
Környezeti és Exportosztályozás
RoHS-állapot
ROHS3 Compliant
Nedvességérzékenységi szint (MSL)
1 (Unlimited)
REACH státusz
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Tanúsítvány
Kapcsolódó Termékek
SM6K2T110
MOSFET 2N-CH 60V 0.2A SMT6
SH8K41GZETB
MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOP
TT8M3TR
MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 8TSST
