Gyártó Termékszám:
EMG5T2R
Product Overview
Gyártó:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cikkszám:
EMG5T2R-DG
Leírás:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
Részletes leírás:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT5
Készlet:
2995 Új, eredeti, készleten lévő db
13523835
Ajánlatkérés
Mennyiség
Minimum 1
Minimum 1
uXzh
(*) kötelező
24 órán belül válaszolunk Önnek
24 órán belül válaszolunk Önnek
KÜLDÉS
EMG5T2R Műszaki jellemzők
Kategória
Bipoláris (BJT), Bipoláris tranzisztor sorozatok, előre torzítva
Gyártó
ROHM Semiconductor
Csomagolás
Tape & Reel (TR)
Sorozat
-
Termék állapota
Active
Tranzisztor típusa
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Áram - kollektor (ic) (max)
100mA
Feszültség - kollektor emitter meghibásodása (max)
50V
Ellenállás - alap (R1)
10kOhms
Ellenállás - Emitter alap (R2)
47kOhms
DC áramnyereség (hFE) (min) @ ic, vce
68 @ 5mA, 5V
Vce telítettség (max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Áram - kollektor levágása (max.)
500nA
Frekvencia - átmenet
250MHz
Teljesítmény - Max
150mW
Szerelés típusa
Surface Mount
Csomag / tok
6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Beszállítói eszközcsomag
EMT5
Alap termékszám
EMG5T2
Műszaki adatlap és dokumentumok
Megbízhatósági dokumentumok
Tervezési erőforrások
Adatlapok
További információk
Standard csomag
8,000
Egyéb nevek
EMG5T2RCT
EMG5T2RDKR
EMG5T2RTR
Környezeti és Exportosztályozás
RoHS-állapot
ROHS3 Compliant
Nedvességérzékenységi szint (MSL)
1 (Unlimited)
REACH státusz
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatív modellek
ALKATRÉSZ SZÁM
RN1707JE(TE85L,F)
GYÁRTÓ
Toshiba Semiconductor and Storage
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
3872
DiGi RÉSZ SZÁM
RN1707JE(TE85L,F)-DG
EGYSÉGÁR
0.04
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Similar
DIGI Tanúsítvány
Kapcsolódó Termékek
