Gyártó Termékszám:
DTC115TMT2L
Product Overview
Gyártó:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Cikkszám:
DTC115TMT2L-DG
Leírás:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VMT3
Részletes leírás:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW Surface Mount VMT3
Készlet:
13521095
Ajánlatkérés
Mennyiség
Minimum 1
Minimum 1
(*) kötelező
24 órán belül válaszolunk Önnek
24 órán belül válaszolunk Önnek
KÜLDÉS
DTC115TMT2L Műszaki jellemzők
Kategória
Bipoláris (BJT), Egyes, előfeszített bipoláris tranzisztorok
Gyártó
ROHM Semiconductor
Csomagolás
Tape & Reel (TR)
Sorozat
-
Termék állapota
Active
Tranzisztor típusa
NPN - Pre-Biased
Áram - kollektor (ic) (max)
100 mA
Feszültség - kollektor emitter meghibásodása (max)
50 V
Ellenállás - alap (R1)
100 kOhms
DC áramnyereség (hFE) (min) @ ic, vce
100 @ 1mA, 5V
Vce telítettség (max) @ Ib, Ic
300mV @ 100µA, 1mA
Áram - kollektor levágása (max.)
500nA (ICBO)
Frekvencia - átmenet
250 MHz
Teljesítmény - Max
150 mW
Szerelés típusa
Surface Mount
Csomag / tok
SOT-723
Beszállítói eszközcsomag
VMT3
Alap termékszám
DTC115
Műszaki adatlap és dokumentumok
Megbízhatósági dokumentumok
Adatlapok
Tervezési erőforrások
További információk
Standard csomag
8,000
Egyéb nevek
DTC115TMT2LTR
DTC115TMT2L-ND
DTC115TMT2LCT
Q2976642
4823-30680-212
DTC115TMT2LDKR
Környezeti és Exportosztályozás
RoHS-állapot
ROHS3 Compliant
Nedvességérzékenységi szint (MSL)
1 (Unlimited)
REACH státusz
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Alternatív modellek
ALKATRÉSZ SZÁM
PDTC115TM,315
GYÁRTÓ
Nexperia USA Inc.
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
9720
DiGi RÉSZ SZÁM
PDTC115TM,315-DG
EGYSÉGÁR
0.02
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Similar
ALKATRÉSZ SZÁM
RN1131MFV(TL3,T)
GYÁRTÓ
Toshiba Semiconductor and Storage
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
3000
DiGi RÉSZ SZÁM
RN1131MFV(TL3,T)-DG
EGYSÉGÁR
0.03
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Similar
DIGI Tanúsítvány
Kapcsolódó Termékek
DTB523YETL
TRANS PREBIAS PNP 12V 0.5A EMT3
DTC114YEBTL
TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F
DTC144VKAT146
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMT3
