Kezdőlap
Termékek
Gyártók
A DiGi-ról
Lépjen kapcsolatba velünk
Blogok és bejegyzések
Árajánlatkérés
Hungarian
Bejelentkezés
Szelektív nyelv
Jelenlegi nyelv az Ön választása:
Hungarian
Kapcsoló:
Angol
Európa
Egyesült Királyság
Franciaország
Spanyolország
Törökország
Moldova
Litvánia
Norvégia
Németország
Portugália
Szlovákia
Olaszország
Finnország
Orosz
Bulgária
Dánia
Észtország
Lengyelország
Ukrajna
Szlovénia
Cseh
Görög
Horvátország
Izrael
Szerbia
Fehéroroszország
Hollandia
Svédország
Montenegró
Baszk
Izland
Bosznia
Magyar
Románia
Ausztria
Belgium
Írország
Ázsia / Csendes-óceáni térség
Kína
Vietnam
Indonézia
Thaiföld
Laosz
Filippínó
Malajzia
Korea
Japán
Hongkong
Tajvan
Szingapúr
Pakisztán
Szaúd-Arábia
Katar
Kuvait
Kambodzsa
Mianmar
Afrika, India és a Közel-Kelet
Egyesült Arab Emírségek
Tádzsikisztán
Madagaszkár
India
Irán
Kongói Demokratikus Köztársaság
Dél-Afrika
Egyiptom
Kenya
Tanzánia
Ghána
Szenegál
Marokkó
Tunézia
Dél-Amerika / Óceánia
Új-Zéland
Angola
Brazília
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolívia
Uruguay
Argentína
Paraguay
Ausztrália
Észak-Amerika
Egyesült Államok
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexikó
A DiGi-ról
Rólunk
Rólunk
Tanúsítványaink
Bevezetés
Miért DiGi
Szabályzat
Minőségi Politika
Felhasználási feltételek
RoHS megfelelőség
Visszatérési folyamat
Források
Termék kategóriák
Gyártók
Blogok és bejegyzések
Szolgáltatások
Minőségi garancia
Fizetési Mód
Globális Szállítás
Szállítási díjak
GYIK
Gyártó Termékszám:
NTJD4105CT1G
Product Overview
Gyártó:
onsemi
DiGi Electronics Cikkszám:
NTJD4105CT1G-DG
Leírás:
MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.63A SC88
Részletes leírás:
Mosfet Array 20V, 8V 630mA, 775mA 270mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Készlet:
22900 Új, eredeti, készleten lévő db
12840950
Ajánlatkérés
Mennyiség
Minimum 1
*
Cég
*
Kapcsolattartó Név
*
Telefon
*
E-mail
Szállítási cím
Üzenet
(
*
) kötelező
24 órán belül válaszolunk Önnek
KÜLDÉS
NTJD4105CT1G Műszaki jellemzők
Kategória
FET-ek, MOSFET-ek, FET, MOSFET tömbök
Gyártó
onsemi
Csomagolás
Tape & Reel (TR)
Sorozat
-
Termék állapota
Active
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguráció
N and P-Channel
FET funkció
Logic Level Gate
Leeresztés a forrásfeszültségig (Vdss)
20V, 8V
Áram - folyamatos leeresztés (id) @ 25°C
630mA, 775mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
375mOhm @ 630mA, 4.5V
vgs(th) (max) @ azonosító
1.5V @ 250µA
Kapu töltése (qg) (max) @ vgs
3nC @ 4.5V
Bemeneti kapacitás (Ciss) (max) @ Vds
46pF @ 20V
Teljesítmény - Max
270mW
Üzemi hőmérséklet
-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelés típusa
Surface Mount
Csomag / tok
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Beszállítói eszközcsomag
SC-88/SC70-6/SOT-363
Alap termékszám
NTJD4105
Műszaki adatlap és dokumentumok
Adatlapok
NTJD4105CT1G
HTML Adatlap
NTJD4105CT1G-DG
További információk
Standard csomag
3,000
Egyéb nevek
NTJD4105CT1GOS
NTJD4105CT1GOSTR
NTJD4105CT1GOSDKR
ONSONSNTJD4105CT1G
NTJD4105CT1GOSCT
NTJD4105CT1GOS-DG
2156-NTJD4105CT1G-OS
Környezeti és Exportosztályozás
RoHS-állapot
ROHS3 Compliant
Nedvességérzékenységi szint (MSL)
1 (Unlimited)
REACH státusz
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Tanúsítvány
Kapcsolódó Termékek
BSO615CT
MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8DSO
QJD1210SB1
SIC 1200V 10A MOD
NTHD2102PT1G
MOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFET
QJD1210SA1
SIC 2N-CH 1200V 100A MODULE