Gyártó Termékszám:
NTJD4105CT1G
Product Overview
Gyártó:
onsemi
DiGi Electronics Cikkszám:
NTJD4105CT1G-DG
Leírás:
MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.63A SC88
Részletes leírás:
Mosfet Array 20V, 8V 630mA, 775mA 270mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Készlet:
22900 Új, eredeti, készleten lévő db
12840950
Ajánlatkérés
Mennyiség
Minimum 1
Minimum 1
(*) kötelező
24 órán belül válaszolunk Önnek
24 órán belül válaszolunk Önnek
KÜLDÉS
NTJD4105CT1G Műszaki jellemzők
Kategória
FET-ek, MOSFET-ek, FET, MOSFET tömbök
Gyártó
onsemi
Csomagolás
Tape & Reel (TR)
Sorozat
-
Termék állapota
Active
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguráció
N and P-Channel
FET funkció
Logic Level Gate
Leeresztés a forrásfeszültségig (Vdss)
20V, 8V
Áram - folyamatos leeresztés (id) @ 25°C
630mA, 775mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
375mOhm @ 630mA, 4.5V
vgs(th) (max) @ azonosító
1.5V @ 250µA
Kapu töltése (qg) (max) @ vgs
3nC @ 4.5V
Bemeneti kapacitás (Ciss) (max) @ Vds
46pF @ 20V
Teljesítmény - Max
270mW
Üzemi hőmérséklet
-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelés típusa
Surface Mount
Csomag / tok
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Beszállítói eszközcsomag
SC-88/SC70-6/SOT-363
Alap termékszám
NTJD4105
Műszaki adatlap és dokumentumok
Adatlapok
HTML Adatlap
További információk
Standard csomag
3,000
Egyéb nevek
NTJD4105CT1GOS
NTJD4105CT1GOSTR
NTJD4105CT1GOSDKR
ONSONSNTJD4105CT1G
NTJD4105CT1GOSCT
NTJD4105CT1GOS-DG
2156-NTJD4105CT1G-OS
Környezeti és Exportosztályozás
RoHS-állapot
ROHS3 Compliant
Nedvességérzékenységi szint (MSL)
1 (Unlimited)
REACH státusz
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Tanúsítvány
Kapcsolódó Termékek
BSO615CT
MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8DSO
QJD1210SB1
SIC 1200V 10A MOD
NTHD2102PT1G
MOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFET