Kezdőlap
Termékek
Gyártók
A DiGi-ról
Lépjen kapcsolatba velünk
Blogok és bejegyzések
Árajánlatkérés
Hungarian
Bejelentkezés
Szelektív nyelv
Jelenlegi nyelv az Ön választása:
Hungarian
Kapcsoló:
Angol
Európa
Egyesült Királyság
Kongói Demokratikus Köztársaság
Argentína
Törökország
Románia
Litvánia
Norvégia
Ausztria
Angola
Szlovákia
LTALY
Finnország
Fehéroroszország
Bulgária
Dánia
Észtország
Lengyelország
Ukrajna
Szlovénia
Cseh
Görög
Horvátország
Izrael
Montenegró
Orosz
Belgium
Svédország
Szerbia
Baszk
Izland
Bosznia
Magyar
Moldova
Németország
Hollandia
Írország
Ázsia / Csendes-óceán
Kína
Vietnam
Indonézia
Thaiföld
Laosz
Filippínó
Malajzia
Korea
Japán
Hongkong
Tajvan
Szingapúr
Pakisztán
Szaúd-Arábia
Katar
Kuvait
Kambodzsa
Mianmar
Afrika, India és Közel-Kelet
Egyesült Arab Emírségek
Tádzsikisztán
Madagaszkár
India
Irán
Franciaország
Dél-Afrika
Egyiptom
Kenya
Tanzánia
Ghána
Szenegál
Marokkó
Tunézia
Dél-Amerika / Óceánia
Új-Zéland
Portugália
Brazília
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolívia
Uruguay
Spanyolország
Paraguay
Ausztrália
Észak-Amerika
Egyesült Államok
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexikó
A DiGi-ról
Rólunk
Rólunk
Tanúsítványaink
Bevezetés
Miért DiGi
Szabályzat
Minőségi Politika
Felhasználási feltételek
RoHS megfelelőség
Visszatérési folyamat
Források
Termék kategóriák
Gyártók
Blogok és bejegyzések
Szolgáltatások
Minőségi garancia
Fizetési Mód
Globális Szállítás
Szállítási díjak
GYIK
Gyártó Termékszám:
NTJD1155LT1G
Product Overview
Gyártó:
onsemi
DiGi Electronics Cikkszám:
NTJD1155LT1G-DG
Leírás:
MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SC88
Részletes leírás:
Mosfet Array 8V 1.3A 400mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Készlet:
141507 Új, eredeti, készleten lévő db
12856897
Ajánlatkérés
Mennyiség
Minimum 1
*
Cég
*
Kapcsolattartó Név
*
Telefon
*
E-mail
Szállítási cím
Üzenet
(
*
) kötelező
24 órán belül válaszolunk Önnek
KÜLDÉS
NTJD1155LT1G Műszaki jellemzők
Kategória
FET-ek, MOSFET-ek, FET, MOSFET tömbök
Gyártó
onsemi
Csomagolás
Tape & Reel (TR)
Sorozat
-
Termék állapota
Active
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguráció
N and P-Channel
FET funkció
-
Leeresztés a forrásfeszültségig (Vdss)
8V
Áram - folyamatos leeresztés (id) @ 25°C
1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
175mOhm @ 1.2A, 4.5V
vgs(th) (max) @ azonosító
1V @ 250µA
Kapu töltése (qg) (max) @ vgs
-
Bemeneti kapacitás (Ciss) (max) @ Vds
-
Teljesítmény - Max
400mW
Üzemi hőmérséklet
-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelés típusa
Surface Mount
Csomag / tok
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Beszállítói eszközcsomag
SC-88/SC70-6/SOT-363
Alap termékszám
NTJD1155
Műszaki adatlap és dokumentumok
Adatlapok
NTJD1155LT1G
HTML Adatlap
NTJD1155LT1G-DG
További információk
Standard csomag
3,000
Egyéb nevek
NTJD1155LT1GOSTR
ONSNTJD1155LT1G
2156-NTJD1155LT1G-OS
NTJD1155LT1GOSCT
NTJD1155LT1GOSDKR
2832-NTJD1155LT1GTR
Környezeti és Exportosztályozás
RoHS-állapot
ROHS3 Compliant
Nedvességérzékenységi szint (MSL)
1 (Unlimited)
REACH státusz
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Tanúsítvány
Kapcsolódó Termékek
NTL4502NT1
MOSFET 4N-CH 24V 11.4A 16QFN
NTZD3152PT1G
MOSFET 2P-CH 20V 430MA SOT563
VEC2415-TL-E
MOSFET 2N-CH 60V 3A SOT28
NVMFD6H840NLWFT1G
MOSFET 2N-CH 80V 14A/74A 8DFN