NTHD3100CT1

Gyártó Termékszám:

NTHD3100CT1

Product Overview

Gyártó:

onsemi

DiGi Electronics Cikkszám:

NTHD3100CT1-DG

Leírás:

MOSFET N/P-CH 20V 2.9A CHIPFET

Részletes leírás:

Mosfet Array 20V 2.9A, 3.2A 1.1W Surface Mount ChipFET™

Készlet:

RFQ Online

12840307

Ajánlatkérés

Mennyiség
Minimum 1

(*) kötelező
24 órán belül válaszolunk Önnek

KÜLDÉS

NTHD3100CT1 Műszaki jellemzők

Kategória

FET-ek, MOSFET-ek, FET, MOSFET tömbök

Gyártó

onsemi

Csomagolás

-

Sorozat

-

Termék állapota

Obsolete

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Konfiguráció

N and P-Channel

FET funkció

Logic Level Gate

Leeresztés a forrásfeszültségig (Vdss)

20V

Áram - folyamatos leeresztés (id) @ 25°C

2.9A, 3.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

80mOhm @ 2.9A, 4.5V

vgs(th) (max) @ azonosító

1.2V @ 250µA

Kapu töltése (qg) (max) @ vgs

2.3nC @ 4.5V

Bemeneti kapacitás (Ciss) (max) @ Vds

165pF @ 10V

Teljesítmény - Max

1.1W

Üzemi hőmérséklet

-55°C ~ 150°C (TJ)

Szerelés típusa

Surface Mount

Csomag / tok

8-SMD, Flat Lead

Beszállítói eszközcsomag

ChipFET™

Alap termékszám

NTHD3100

Műszaki adatlap és dokumentumok

Adatlapok

HTML Adatlap

További információk

Standard csomag

3,000

Környezeti és Exportosztályozás

RoHS-állapot

RoHS non-compliant

Nedvességérzékenységi szint (MSL)

1 (Unlimited)

REACH státusz

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Alternatív modellek

ALKATRÉSZ SZÁM

NTHD3100CT1G

GYÁRTÓ

onsemi

RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG

5410

DiGi RÉSZ SZÁM

NTHD3100CT1G-DG

EGYSÉGÁR

0.34

HELYETTESÍTÉS TÍPUS

Direct

DIGI Tanúsítvány

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Kapcsolódó Termékek

onsemi

FDS8958A-F085

MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC

onsemi

FDS9933A

MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 8SOIC

EFC6605R-V-TR

MOSFET 2N-CH 20V 10A 6EFCP

onsemi

EMH2412-TL-H

MOSFET 2N-CH 24V 6A 8EMH