Gyártó Termékszám:
NSVBA114YDXV6T1G
Product Overview
Gyártó:
onsemi
DiGi Electronics Cikkszám:
NSVBA114YDXV6T1G-DG
Leírás:
TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
Részletes leírás:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
Készlet:
12842697
Ajánlatkérés
Mennyiség
Minimum 1
Minimum 1
fSMw
(*) kötelező
24 órán belül válaszolunk Önnek
24 órán belül válaszolunk Önnek
KÜLDÉS
NSVBA114YDXV6T1G Műszaki jellemzők
Kategória
Bipoláris (BJT), Bipoláris tranzisztor sorozatok, előre torzítva
Gyártó
onsemi
Csomagolás
-
Sorozat
-
Termék állapota
Last Time Buy
Tranzisztor típusa
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Áram - kollektor (ic) (max)
100mA
Feszültség - kollektor emitter meghibásodása (max)
50V
Ellenállás - alap (R1)
10kOhms
Ellenállás - Emitter alap (R2)
47kOhms
DC áramnyereség (hFE) (min) @ ic, vce
80 @ 5mA, 10V
Vce telítettség (max) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
Áram - kollektor levágása (max.)
500nA
Frekvencia - átmenet
-
Teljesítmény - Max
500mW
Szerelés típusa
Surface Mount
Csomag / tok
SOT-563, SOT-666
Beszállítói eszközcsomag
SOT-563
Alap termékszám
NSVBA114
További információk
Standard csomag
4,000
Egyéb nevek
2156-NSVBA114YDXV6T1G-OS
ONSONSNSVBA114YDXV6T1G
Környezeti és Exportosztályozás
RoHS-állapot
ROHS3 Compliant
Nedvességérzékenységi szint (MSL)
1 (Unlimited)
REACH státusz
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatív modellek
ALKATRÉSZ SZÁM
PEMB9,115
GYÁRTÓ
Nexperia USA Inc.
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
4000
DiGi RÉSZ SZÁM
PEMB9,115-DG
EGYSÉGÁR
0.07
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Similar
ALKATRÉSZ SZÁM
RN2907FE,LF(CT
GYÁRTÓ
Toshiba Semiconductor and Storage
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
0
DiGi RÉSZ SZÁM
RN2907FE,LF(CT-DG
EGYSÉGÁR
0.02
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Similar
DIGI Tanúsítvány
Kapcsolódó Termékek
SMUN5235DW1T1G
TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363
DMC564010R
TRANS PREBIAS DUAL NPN SMINI6
DMC561010R
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SMINI5