Kezdőlap
Termékek
Gyártók
A DiGi-ról
Lépjen kapcsolatba velünk
Blogok és bejegyzések
Árajánlatkérés
Hungarian
Bejelentkezés
Szelektív nyelv
Jelenlegi nyelv az Ön választása:
Hungarian
Kapcsoló:
Angol
Európa
Egyesült Királyság
Kongói Demokratikus Köztársaság
Argentína
Törökország
Románia
Litvánia
Norvégia
Ausztria
Angola
Szlovákia
LTALY
Finnország
Fehéroroszország
Bulgária
Dánia
Észtország
Lengyelország
Ukrajna
Szlovénia
Cseh
Görög
Horvátország
Izrael
Montenegró
Orosz
Belgium
Svédország
Szerbia
Baszk
Izland
Bosznia
Magyar
Moldova
Németország
Hollandia
Írország
Ázsia / Csendes-óceán
Kína
Vietnam
Indonézia
Thaiföld
Laosz
Filippínó
Malajzia
Korea
Japán
Hongkong
Tajvan
Szingapúr
Pakisztán
Szaúd-Arábia
Katar
Kuvait
Kambodzsa
Mianmar
Afrika, India és Közel-Kelet
Egyesült Arab Emírségek
Tádzsikisztán
Madagaszkár
India
Irán
Franciaország
Dél-Afrika
Egyiptom
Kenya
Tanzánia
Ghána
Szenegál
Marokkó
Tunézia
Dél-Amerika / Óceánia
Új-Zéland
Portugália
Brazília
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolívia
Uruguay
Spanyolország
Paraguay
Ausztrália
Észak-Amerika
Egyesült Államok
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexikó
A DiGi-ról
Rólunk
Rólunk
Tanúsítványaink
Bevezetés
Miért DiGi
Szabályzat
Minőségi Politika
Felhasználási feltételek
RoHS megfelelőség
Visszatérési folyamat
Források
Termék kategóriák
Gyártók
Blogok és bejegyzések
Szolgáltatások
Minőségi garancia
Fizetési Mód
Globális Szállítás
Szállítási díjak
GYIK
Gyártó Termékszám:
NSBA114YDXV6T1G
Product Overview
Gyártó:
onsemi
DiGi Electronics Cikkszám:
NSBA114YDXV6T1G-DG
Leírás:
TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
Részletes leírás:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
Készlet:
3990 Új, eredeti, készleten lévő db
12857553
Ajánlatkérés
Mennyiség
Minimum 1
*
Cég
*
Kapcsolattartó Név
*
Telefon
*
E-mail
Szállítási cím
Üzenet
(
*
) kötelező
24 órán belül válaszolunk Önnek
KÜLDÉS
NSBA114YDXV6T1G Műszaki jellemzők
Kategória
Bipoláris (BJT), Bipoláris tranzisztor sorozatok, előre torzítva
Gyártó
onsemi
Csomagolás
Tape & Reel (TR)
Sorozat
-
Termék állapota
Active
Tranzisztor típusa
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Áram - kollektor (ic) (max)
100mA
Feszültség - kollektor emitter meghibásodása (max)
50V
Ellenállás - alap (R1)
10kOhms
Ellenállás - Emitter alap (R2)
47kOhms
DC áramnyereség (hFE) (min) @ ic, vce
80 @ 5mA, 10V
Vce telítettség (max) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
Áram - kollektor levágása (max.)
500nA
Frekvencia - átmenet
-
Teljesítmény - Max
500mW
Szerelés típusa
Surface Mount
Csomag / tok
SOT-563, SOT-666
Beszállítói eszközcsomag
SOT-563
Alap termékszám
NSBA114
Műszaki adatlap és dokumentumok
Adatlapok
NSBA114YDXV6T1G
HTML Adatlap
NSBA114YDXV6T1G-DG
További információk
Standard csomag
4,000
Egyéb nevek
NSBA114YDXV6T1GOSTR
NSBA114YDXV6T1GOS-DG
NSBA114YDXV6T1GOS
=NSBA114YDXV6T1GOSCT-DG
2156-NSBA114YDXV6T1G-OS
NSBA114YDXV6T1GOSCT
ONSONSNSBA114YDXV6T1G
Környezeti és Exportosztályozás
RoHS-állapot
ROHS3 Compliant
Nedvességérzékenységi szint (MSL)
1 (Unlimited)
REACH státusz
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatív modellek
ALKATRÉSZ SZÁM
DDA114YH-7
GYÁRTÓ
Diodes Incorporated
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
0
DiGi RÉSZ SZÁM
DDA114YH-7-DG
EGYSÉGÁR
0.06
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Similar
ALKATRÉSZ SZÁM
DDA143TH-7
GYÁRTÓ
Diodes Incorporated
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
2850
DiGi RÉSZ SZÁM
DDA143TH-7-DG
EGYSÉGÁR
0.06
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Similar
ALKATRÉSZ SZÁM
PEMB11,115
GYÁRTÓ
Nexperia USA Inc.
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
8520
DiGi RÉSZ SZÁM
PEMB11,115-DG
EGYSÉGÁR
0.07
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Similar
ALKATRÉSZ SZÁM
DDA114TH-7
GYÁRTÓ
Diodes Incorporated
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
5848
DiGi RÉSZ SZÁM
DDA114TH-7-DG
EGYSÉGÁR
0.10
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Direct
DIGI Tanúsítvány
Kapcsolódó Termékek
NSBA144EDXV6T1G
TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
NSBA143ZDP6T5G
TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963
NSVIMD10AMT1G
SURF MT BIASED RES XSTR
SMUN5231DW1T1G
TRANS 2NPN 50V 0.25W SC88