Kezdőlap
Termékek
Gyártók
A DiGi-ról
Lépjen kapcsolatba velünk
Blogok és bejegyzések
Árajánlatkérés
Hungarian
Bejelentkezés
Szelektív nyelv
Jelenlegi nyelv az Ön választása:
Hungarian
Kapcsoló:
Angol
Európa
Egyesült Királyság
Franciaország
Spanyolország
Törökország
Moldova
Litvánia
Norvégia
Németország
Portugália
Szlovákia
Olaszország
Finnország
Orosz
Bulgária
Dánia
Észtország
Lengyelország
Ukrajna
Szlovénia
Cseh
Görög
Horvátország
Izrael
Szerbia
Fehéroroszország
Hollandia
Svédország
Montenegró
Baszk
Izland
Bosznia
Magyar
Románia
Ausztria
Belgium
Írország
Ázsia / Csendes-óceáni térség
Kína
Vietnam
Indonézia
Thaiföld
Laosz
Filippínó
Malajzia
Korea
Japán
Hongkong
Tajvan
Szingapúr
Pakisztán
Szaúd-Arábia
Katar
Kuvait
Kambodzsa
Mianmar
Afrika, India és a Közel-Kelet
Egyesült Arab Emírségek
Tádzsikisztán
Madagaszkár
India
Irán
Kongói Demokratikus Köztársaság
Dél-Afrika
Egyiptom
Kenya
Tanzánia
Ghána
Szenegál
Marokkó
Tunézia
Dél-Amerika / Óceánia
Új-Zéland
Angola
Brazília
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolívia
Uruguay
Argentína
Paraguay
Ausztrália
Észak-Amerika
Egyesült Államok
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexikó
A DiGi-ról
Rólunk
Rólunk
Tanúsítványaink
Bevezetés
Miért DiGi
Szabályzat
Minőségi Politika
Felhasználási feltételek
RoHS megfelelőség
Visszatérési folyamat
Források
Termék kategóriák
Gyártók
Blogok és bejegyzések
Szolgáltatások
Minőségi garancia
Fizetési Mód
Globális Szállítás
Szállítási díjak
GYIK
Gyártó Termékszám:
NDS8858H
Product Overview
Gyártó:
onsemi
DiGi Electronics Cikkszám:
NDS8858H-DG
Leírás:
MOSFET N/P-CH 30V 6.3A 8SOIC
Részletes leírás:
Mosfet Array 30V 6.3A, 4.8A 1W Surface Mount 8-SOIC
Készlet:
RFQ Online
12856601
Ajánlatkérés
Mennyiség
Minimum 1
*
Cég
*
Kapcsolattartó Név
*
Telefon
*
E-mail
Szállítási cím
Üzenet
(
*
) kötelező
24 órán belül válaszolunk Önnek
KÜLDÉS
NDS8858H Műszaki jellemzők
Kategória
FET-ek, MOSFET-ek, FET, MOSFET tömbök
Gyártó
onsemi
Csomagolás
-
Sorozat
-
Termék állapota
Obsolete
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguráció
N and P-Channel
FET funkció
Logic Level Gate
Leeresztés a forrásfeszültségig (Vdss)
30V
Áram - folyamatos leeresztés (id) @ 25°C
6.3A, 4.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
35mOhm @ 4.8A, 10V
vgs(th) (max) @ azonosító
2.8V @ 250µA
Kapu töltése (qg) (max) @ vgs
30nC @ 10V
Bemeneti kapacitás (Ciss) (max) @ Vds
720pF @ 15V
Teljesítmény - Max
1W
Üzemi hőmérséklet
-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelés típusa
Surface Mount
Csomag / tok
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Beszállítói eszközcsomag
8-SOIC
Alap termékszám
NDS885
További információk
Standard csomag
2,500
Egyéb nevek
NDS8858HCT-NDR
NDS8858HDKR
NDS8858HTR
NDS8858HCT
NDS8858HTR-NDR
Környezeti és Exportosztályozás
Nedvességérzékenységi szint (MSL)
1 (Unlimited)
REACH státusz
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatív modellek
ALKATRÉSZ SZÁM
FDS8858CZ
GYÁRTÓ
onsemi
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
18185
DiGi RÉSZ SZÁM
FDS8858CZ-DG
EGYSÉGÁR
0.32
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Similar
DIGI Tanúsítvány
Kapcsolódó Termékek
NVMFD5C446NLT1G
MOSFET 2N-CH 40V 25A/145A 8DFN
NTMFD5C466NLT1G
MOSFET 2N-CH 40V 14A/52A 8DFN
BSO350N03
MOSFET 2N-CH 30V 5A 8DSO
SI4542DY
MOSFET N/P-CH 30V 6A 8SOIC