Kezdőlap
Termékek
Gyártók
A DiGi-ról
Lépjen kapcsolatba velünk
Blogok és bejegyzések
Árajánlatkérés
Hungarian
Bejelentkezés
Szelektív nyelv
Jelenlegi nyelv az Ön választása:
Hungarian
Kapcsoló:
Angol
Európa
Egyesült Királyság
Franciaország
Spanyolország
Törökország
Moldova
Litvánia
Norvégia
Németország
Portugália
Szlovákia
Olaszország
Finnország
Orosz
Bulgária
Dánia
Észtország
Lengyelország
Ukrajna
Szlovénia
Cseh
Görög
Horvátország
Izrael
Szerbia
Fehéroroszország
Hollandia
Svédország
Montenegró
Baszk
Izland
Bosznia
Magyar
Románia
Ausztria
Belgium
Írország
Ázsia / Csendes-óceáni térség
Kína
Vietnam
Indonézia
Thaiföld
Laosz
Filippínó
Malajzia
Korea
Japán
Hongkong
Tajvan
Szingapúr
Pakisztán
Szaúd-Arábia
Katar
Kuvait
Kambodzsa
Mianmar
Afrika, India és a Közel-Kelet
Egyesült Arab Emírségek
Tádzsikisztán
Madagaszkár
India
Irán
Kongói Demokratikus Köztársaság
Dél-Afrika
Egyiptom
Kenya
Tanzánia
Ghána
Szenegál
Marokkó
Tunézia
Dél-Amerika / Óceánia
Új-Zéland
Angola
Brazília
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolívia
Uruguay
Argentína
Paraguay
Ausztrália
Észak-Amerika
Egyesült Államok
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexikó
A DiGi-ról
Rólunk
Rólunk
Tanúsítványaink
Bevezetés
Miért DiGi
Szabályzat
Minőségi Politika
Felhasználási feltételek
RoHS megfelelőség
Visszatérési folyamat
Források
Termék kategóriák
Gyártók
Blogok és bejegyzések
Szolgáltatások
Minőségi garancia
Fizetési Mód
Globális Szállítás
Szállítási díjak
GYIK
Gyártó Termékszám:
MJD50G
Product Overview
Gyártó:
onsemi
DiGi Electronics Cikkszám:
MJD50G-DG
Leírás:
TRANS NPN 400V 1A DPAK
Részletes leírás:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 1 A 10MHz 1.56 W Surface Mount DPAK
Készlet:
1637 Új, eredeti, készleten lévő db
12930723
Ajánlatkérés
Mennyiség
Minimum 1
*
Cég
*
Kapcsolattartó Név
*
Telefon
*
E-mail
Szállítási cím
Üzenet
(
*
) kötelező
24 órán belül válaszolunk Önnek
KÜLDÉS
MJD50G Műszaki jellemzők
Kategória
Bipoláris (BJT), Egységes Bipoláris Tranzisztorok
Gyártó
onsemi
Csomagolás
Tube
Sorozat
-
Termék állapota
Active
Tranzisztor típusa
NPN
Áram - kollektor (ic) (max)
1 A
Feszültség - kollektor emitter meghibásodása (max)
400 V
Vce telítettség (max) @ Ib, Ic
1V @ 200mA, 1A
Áram - kollektor levágása (max.)
200µA
DC áramnyereség (hFE) (min) @ ic, vce
30 @ 300mA, 10V
Teljesítmény - Max
1.56 W
Frekvencia - átmenet
10MHz
Üzemi hőmérséklet
-65°C ~ 150°C (TJ)
Szerelés típusa
Surface Mount
Csomag / tok
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Beszállítói eszközcsomag
DPAK
Alap termékszám
MJD50
Műszaki adatlap és dokumentumok
Adatlapok
MJD50G
HTML Adatlap
MJD50G-DG
További információk
Standard csomag
75
Egyéb nevek
2156-MJD50G-OS
ONSONSMJD50G
MJD50G-DG
MJD50GOS
Környezeti és Exportosztályozás
RoHS-állapot
ROHS3 Compliant
Nedvességérzékenységi szint (MSL)
1 (Unlimited)
REACH státusz
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Tanúsítvány
Kapcsolódó Termékek
BDW23BTU
TRANS NPN 80V 6A TO220-3
FJPF5027RTU
TRANS NPN 800V 3A TO220F-3
2SC2812-6-TB-E
NPN SILICON TRANSISTOR
2SC3117S
TRANSISTOR