Gyártó Termékszám:
MJD112-1G
Product Overview
Gyártó:
onsemi
DiGi Electronics Cikkszám:
MJD112-1G-DG
Leírás:
TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
Részletes leírás:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 2 A 25MHz 1.75 W Through Hole I-PAK
Készlet:
153 Új, eredeti, készleten lévő db
12853107
Ajánlatkérés
Mennyiség
Minimum 1
Minimum 1
(*) kötelező
24 órán belül válaszolunk Önnek
24 órán belül válaszolunk Önnek
KÜLDÉS
MJD112-1G Műszaki jellemzők
Kategória
Bipoláris (BJT), Egységes Bipoláris Tranzisztorok
Gyártó
onsemi
Csomagolás
Tube
Sorozat
-
Termék állapota
Active
Tranzisztor típusa
NPN - Darlington
Áram - kollektor (ic) (max)
2 A
Feszültség - kollektor emitter meghibásodása (max)
100 V
Vce telítettség (max) @ Ib, Ic
3V @ 40mA, 4A
Áram - kollektor levágása (max.)
20µA
DC áramnyereség (hFE) (min) @ ic, vce
1000 @ 2A, 3V
Teljesítmény - Max
1.75 W
Frekvencia - átmenet
25MHz
Üzemi hőmérséklet
-65°C ~ 150°C (TJ)
Szerelés típusa
Through Hole
Csomag / tok
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Beszállítói eszközcsomag
I-PAK
Alap termékszám
MJD112
Műszaki adatlap és dokumentumok
Adatlapok
HTML Adatlap
További információk
Standard csomag
75
Egyéb nevek
ONSONSMJD112-1G
MJD1121G
=MJD112
MJD112-1GOS
2156-MJD112-1G-OS
Környezeti és Exportosztályozás
RoHS-állapot
ROHS3 Compliant
Nedvességérzékenységi szint (MSL)
1 (Unlimited)
REACH státusz
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Tanúsítvány
Kapcsolódó Termékek
MJE182G
TRANS NPN 80V 3A TO126
KSC5402DTTU
TRANS NPN 450V 2A TO220-3
MMBTA55LT1G
TRANS PNP 60V 0.5A SOT23-3
