Gyártó Termékszám:
IRLW630ATM
Product Overview
Gyártó:
onsemi
DiGi Electronics Cikkszám:
IRLW630ATM-DG
Leírás:
MOSFET N-CH 200V 9A I2PAK
Részletes leírás:
N-Channel 200 V 9A (Tc) 3.1W (Ta), 69W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Készlet:
12835849
Ajánlatkérés
Mennyiség
Minimum 1
Minimum 1
(*) kötelező
24 órán belül válaszolunk Önnek
24 órán belül válaszolunk Önnek
KÜLDÉS
IRLW630ATM Műszaki jellemzők
Kategória
FET-ek, MOSFET-ek, Egyszerű FET-ek, MOSFET-ek
Gyártó
onsemi
Csomagolás
-
Sorozat
-
Termék állapota
Obsolete
FET típus
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Leeresztés a forrásfeszültségig (Vdss)
200 V
Áram - folyamatos leeresztés (id) @ 25°C
9A (Tc)
Meghajtó feszültsége (Max Rds be, Min Rds be)
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
400mOhm @ 4.5A, 5V
vgs(th) (max) @ azonosító
2V @ 250µA
Kapu töltése (qg) (max) @ vgs
27 nC @ 5 V
VGS (max.)
±20V
Bemeneti kapacitás (Ciss) (max) @ Vds
755 pF @ 25 V
FET funkció
-
Teljesítményelnyelés (max.)
3.1W (Ta), 69W (Tc)
Üzemi hőmérséklet
-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelés típusa
Through Hole
Beszállítói eszközcsomag
TO-262 (I2PAK)
Csomag / tok
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Alap termékszám
IRLW63
Műszaki adatlap és dokumentumok
Adatlapok
HTML Adatlap
További információk
Standard csomag
800
Környezeti és Exportosztályozás
Nedvességérzékenységi szint (MSL)
1 (Unlimited)
REACH státusz
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatív modellek
ALKATRÉSZ SZÁM
IRF624SPBF
GYÁRTÓ
Vishay Siliconix
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
1814
DiGi RÉSZ SZÁM
IRF624SPBF-DG
EGYSÉGÁR
0.81
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Similar
ALKATRÉSZ SZÁM
RCJ120N20TL
GYÁRTÓ
Rohm Semiconductor
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
33
DiGi RÉSZ SZÁM
RCJ120N20TL-DG
EGYSÉGÁR
0.44
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Similar
ALKATRÉSZ SZÁM
IRFU220PBF
GYÁRTÓ
Vishay Siliconix
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
2912
DiGi RÉSZ SZÁM
IRFU220PBF-DG
EGYSÉGÁR
0.52
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Similar
DIGI Tanúsítvány
Kapcsolódó Termékek
2N7002KT1G
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
FQPF6N80
MOSFET N-CH 800V 3.3A TO220F
FDD4685-F085P
MOSFET P-CH 40V 32A TO252
