Gyártó Termékszám:
FQT4N20LTF
Product Overview
Gyártó:
onsemi
DiGi Electronics Cikkszám:
FQT4N20LTF-DG
Leírás:
MOSFET N-CH 200V 850MA SOT223-4
Részletes leírás:
N-Channel 200 V 850mA (Tc) 2.2W (Tc) Surface Mount SOT-223-4
Készlet:
50 Új, eredeti, készleten lévő db
12840019
Ajánlatkérés
Mennyiség
Minimum 1
Minimum 1
(*) kötelező
24 órán belül válaszolunk Önnek
24 órán belül válaszolunk Önnek
KÜLDÉS
FQT4N20LTF Műszaki jellemzők
Kategória
FET-ek, MOSFET-ek, Egyszerű FET-ek, MOSFET-ek
Gyártó
onsemi
Csomagolás
Tape & Reel (TR)
Sorozat
QFET®
Termék állapota
Active
FET típus
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Leeresztés a forrásfeszültségig (Vdss)
200 V
Áram - folyamatos leeresztés (id) @ 25°C
850mA (Tc)
Meghajtó feszültsége (Max Rds be, Min Rds be)
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.35Ohm @ 425mA, 10V
vgs(th) (max) @ azonosító
2V @ 250µA
Kapu töltése (qg) (max) @ vgs
5.2 nC @ 5 V
VGS (max.)
±20V
Bemeneti kapacitás (Ciss) (max) @ Vds
310 pF @ 25 V
FET funkció
-
Teljesítményelnyelés (max.)
2.2W (Tc)
Üzemi hőmérséklet
-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelés típusa
Surface Mount
Beszállítói eszközcsomag
SOT-223-4
Csomag / tok
TO-261-4, TO-261AA
Alap termékszám
FQT4N20
Műszaki adatlap és dokumentumok
Adatlapok
HTML Adatlap
További információk
Standard csomag
4,000
Egyéb nevek
FQT4N20LTFDKR
FAIFSCFQT4N20LTF
FQT4N20LTF-DG
FQT4N20LTFTR
FQT4N20LTFCT
2156-FQT4N20LTF-OS
Környezeti és Exportosztályozás
RoHS-állapot
ROHS3 Compliant
Nedvességérzékenységi szint (MSL)
1 (Unlimited)
REACH státusz
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatív modellek
ALKATRÉSZ SZÁM
BSP297H6327XTSA1
GYÁRTÓ
Infineon Technologies
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
7629
DiGi RÉSZ SZÁM
BSP297H6327XTSA1-DG
EGYSÉGÁR
0.30
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Similar
DIGI Tanúsítvány
Kapcsolódó Termékek
FQP2N90
MOSFET N-CH 900V 2.2A TO220-3
NTD25P03LT4G
MOSFET P-CH 30V 25A DPAK
NVMFS6B25NLT1G
MOSFET N-CH 100V 8A/33A 5DFN
