Kezdőlap
Termékek
Gyártók
A DiGi-ról
Lépjen kapcsolatba velünk
Blogok és bejegyzések
Árajánlatkérés
Hungarian
Bejelentkezés
Szelektív nyelv
Jelenlegi nyelv az Ön választása:
Hungarian
Kapcsoló:
Angol
Európa
Egyesült Királyság
Kongói Demokratikus Köztársaság
Argentína
Törökország
Románia
Litvánia
Norvégia
Ausztria
Angola
Szlovákia
LTALY
Finnország
Fehéroroszország
Bulgária
Dánia
Észtország
Lengyelország
Ukrajna
Szlovénia
Cseh
Görög
Horvátország
Izrael
Montenegró
Orosz
Belgium
Svédország
Szerbia
Baszk
Izland
Bosznia
Magyar
Moldova
Németország
Hollandia
Írország
Ázsia / Csendes-óceán
Kína
Vietnam
Indonézia
Thaiföld
Laosz
Filippínó
Malajzia
Korea
Japán
Hongkong
Tajvan
Szingapúr
Pakisztán
Szaúd-Arábia
Katar
Kuvait
Kambodzsa
Mianmar
Afrika, India és Közel-Kelet
Egyesült Arab Emírségek
Tádzsikisztán
Madagaszkár
India
Irán
Franciaország
Dél-Afrika
Egyiptom
Kenya
Tanzánia
Ghána
Szenegál
Marokkó
Tunézia
Dél-Amerika / Óceánia
Új-Zéland
Portugália
Brazília
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolívia
Uruguay
Spanyolország
Paraguay
Ausztrália
Észak-Amerika
Egyesült Államok
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexikó
A DiGi-ról
Rólunk
Rólunk
Tanúsítványaink
Bevezetés
Miért DiGi
Szabályzat
Minőségi Politika
Felhasználási feltételek
RoHS megfelelőség
Visszatérési folyamat
Források
Termék kategóriák
Gyártók
Blogok és bejegyzések
Szolgáltatások
Minőségi garancia
Fizetési Mód
Globális Szállítás
Szállítási díjak
GYIK
Gyártó Termékszám:
FQT4N20LTF
Product Overview
Gyártó:
onsemi
DiGi Electronics Cikkszám:
FQT4N20LTF-DG
Leírás:
MOSFET N-CH 200V 850MA SOT223-4
Részletes leírás:
N-Channel 200 V 850mA (Tc) 2.2W (Tc) Surface Mount SOT-223-4
Készlet:
50 Új, eredeti, készleten lévő db
12840019
Ajánlatkérés
Mennyiség
Minimum 1
*
Cég
*
Kapcsolattartó Név
*
Telefon
*
E-mail
Szállítási cím
Üzenet
(
*
) kötelező
24 órán belül válaszolunk Önnek
KÜLDÉS
FQT4N20LTF Műszaki jellemzők
Kategória
FET-ek, MOSFET-ek, Egyszerű FET-ek, MOSFET-ek
Gyártó
onsemi
Csomagolás
Tape & Reel (TR)
Sorozat
QFET®
Termék állapota
Active
FET típus
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Leeresztés a forrásfeszültségig (Vdss)
200 V
Áram - folyamatos leeresztés (id) @ 25°C
850mA (Tc)
Meghajtó feszültsége (Max Rds be, Min Rds be)
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.35Ohm @ 425mA, 10V
vgs(th) (max) @ azonosító
2V @ 250µA
Kapu töltése (qg) (max) @ vgs
5.2 nC @ 5 V
VGS (max.)
±20V
Bemeneti kapacitás (Ciss) (max) @ Vds
310 pF @ 25 V
FET funkció
-
Teljesítményelnyelés (max.)
2.2W (Tc)
Üzemi hőmérséklet
-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelés típusa
Surface Mount
Beszállítói eszközcsomag
SOT-223-4
Csomag / tok
TO-261-4, TO-261AA
Alap termékszám
FQT4N20
Műszaki adatlap és dokumentumok
Adatlapok
FQT4N20LTF
HTML Adatlap
FQT4N20LTF-DG
További információk
Standard csomag
4,000
Egyéb nevek
FQT4N20LTFDKR
FAIFSCFQT4N20LTF
FQT4N20LTF-DG
FQT4N20LTFTR
FQT4N20LTFCT
2156-FQT4N20LTF-OS
Környezeti és Exportosztályozás
RoHS-állapot
ROHS3 Compliant
Nedvességérzékenységi szint (MSL)
1 (Unlimited)
REACH státusz
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatív modellek
ALKATRÉSZ SZÁM
BSP297H6327XTSA1
GYÁRTÓ
Infineon Technologies
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
7629
DiGi RÉSZ SZÁM
BSP297H6327XTSA1-DG
EGYSÉGÁR
0.30
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Similar
DIGI Tanúsítvány
Kapcsolódó Termékek
FQP2N90
MOSFET N-CH 900V 2.2A TO220-3
NTD25P03LT4G
MOSFET P-CH 30V 25A DPAK
NVMFS6B25NLT1G
MOSFET N-CH 100V 8A/33A 5DFN
FQPF5N60C
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220F