Gyártó Termékszám:
FQPF630
Product Overview
Gyártó:
onsemi
DiGi Electronics Cikkszám:
FQPF630-DG
Leírás:
MOSFET N-CH 200V 6.3A TO220F
Részletes leírás:
N-Channel 200 V 6.3A (Tc) 38W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Készlet:
12839249
Ajánlatkérés
Mennyiség
Minimum 1
Minimum 1
(*) kötelező
24 órán belül válaszolunk Önnek
24 órán belül válaszolunk Önnek
KÜLDÉS
FQPF630 Műszaki jellemzők
Kategória
FET-ek, MOSFET-ek, Egyszerű FET-ek, MOSFET-ek
Gyártó
onsemi
Csomagolás
-
Sorozat
QFET®
Termék állapota
Obsolete
FET típus
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Leeresztés a forrásfeszültségig (Vdss)
200 V
Áram - folyamatos leeresztés (id) @ 25°C
6.3A (Tc)
Meghajtó feszültsége (Max Rds be, Min Rds be)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
400mOhm @ 3.15A, 10V
vgs(th) (max) @ azonosító
4V @ 250µA
Kapu töltése (qg) (max) @ vgs
25 nC @ 10 V
VGS (max.)
±25V
Bemeneti kapacitás (Ciss) (max) @ Vds
550 pF @ 25 V
FET funkció
-
Teljesítményelnyelés (max.)
38W (Tc)
Üzemi hőmérséklet
-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelés típusa
Through Hole
Beszállítói eszközcsomag
TO-220F-3
Csomag / tok
TO-220-3 Full Pack
Alap termékszám
FQPF6
Műszaki adatlap és dokumentumok
Adatlapok
HTML Adatlap
További információk
Standard csomag
50
Egyéb nevek
FQPF630-DG
2832-FQPF630
FQPF630OS
2156-FQPF630-488
Környezeti és Exportosztályozás
RoHS-állapot
ROHS3 Compliant
Nedvességérzékenységi szint (MSL)
Not Applicable
REACH státusz
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatív modellek
ALKATRÉSZ SZÁM
RCX080N25
GYÁRTÓ
Rohm Semiconductor
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
246
DiGi RÉSZ SZÁM
RCX080N25-DG
EGYSÉGÁR
0.43
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Direct
DIGI Tanúsítvány
Kapcsolódó Termékek
FQD5N20LTF
MOSFET N-CH 200V 3.8A DPAK
FDPF4D5N10C
MOSFET N-CH 100V 128A TO220F
HUF75329G3
MOSFET N-CH 55V 49A TO247-3
