Gyártó Termékszám:
FQP3N60
Product Overview
Gyártó:
onsemi
DiGi Electronics Cikkszám:
FQP3N60-DG
Leírás:
MOSFET N-CH 600V 3A TO220-3
Részletes leírás:
N-Channel 600 V 3A (Tc) 75W (Tc) Through Hole TO-220-3
Készlet:
12837977
Ajánlatkérés
Mennyiség
Minimum 1
Minimum 1
(*) kötelező
24 órán belül válaszolunk Önnek
24 órán belül válaszolunk Önnek
KÜLDÉS
FQP3N60 Műszaki jellemzők
Kategória
FET-ek, MOSFET-ek, Egyszerű FET-ek, MOSFET-ek
Gyártó
onsemi
Csomagolás
-
Sorozat
QFET®
Termék állapota
Obsolete
FET típus
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Leeresztés a forrásfeszültségig (Vdss)
600 V
Áram - folyamatos leeresztés (id) @ 25°C
3A (Tc)
Meghajtó feszültsége (Max Rds be, Min Rds be)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.6Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (max) @ azonosító
5V @ 250µA
Kapu töltése (qg) (max) @ vgs
13 nC @ 10 V
VGS (max.)
±30V
Bemeneti kapacitás (Ciss) (max) @ Vds
450 pF @ 25 V
FET funkció
-
Teljesítményelnyelés (max.)
75W (Tc)
Üzemi hőmérséklet
-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelés típusa
Through Hole
Beszállítói eszközcsomag
TO-220-3
Csomag / tok
TO-220-3
Alap termékszám
FQP3
További információk
Standard csomag
1,000
Környezeti és Exportosztályozás
Nedvességérzékenységi szint (MSL)
1 (Unlimited)
REACH státusz
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatív modellek
ALKATRÉSZ SZÁM
STP3NK60Z
GYÁRTÓ
STMicroelectronics
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
5888
DiGi RÉSZ SZÁM
STP3NK60Z-DG
EGYSÉGÁR
0.58
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Similar
ALKATRÉSZ SZÁM
IRFBC30PBF
GYÁRTÓ
Vishay Siliconix
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
17159
DiGi RÉSZ SZÁM
IRFBC30PBF-DG
EGYSÉGÁR
0.63
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Similar
DIGI Tanúsítvány
Kapcsolódó Termékek
FDBL9401-F085
MOSFET N-CH 40V 300A 8HPSOF
FQD4N25TM
MOSFET N-CH 250V 3A DPAK
FDMS7572S
MOSFET N-CH 25V 23A/49A 8PQFN