FQP2N60C
Gyártó Termékszám:

FQP2N60C

Product Overview

Gyártó:

onsemi

DiGi Electronics Cikkszám:

FQP2N60C-DG

Leírás:

MOSFET N-CH 600V 2A TO220-3
Részletes leírás:
N-Channel 600 V 2A (Tc) 54W (Tc) Through Hole TO-220-3

Készlet:

12850836
Ajánlatkérés
Mennyiség
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) kötelező
24 órán belül válaszolunk Önnek
KÜLDÉS

FQP2N60C Műszaki jellemzők

Kategória
FET-ek, MOSFET-ek, Egyszerű FET-ek, MOSFET-ek
Gyártó
onsemi
Csomagolás
-
Sorozat
QFET®
Termék állapota
Obsolete
FET típus
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Leeresztés a forrásfeszültségig (Vdss)
600 V
Áram - folyamatos leeresztés (id) @ 25°C
2A (Tc)
Meghajtó feszültsége (Max Rds be, Min Rds be)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.7Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (max) @ azonosító
4V @ 250µA
Kapu töltése (qg) (max) @ vgs
12 nC @ 10 V
VGS (max.)
±30V
Bemeneti kapacitás (Ciss) (max) @ Vds
235 pF @ 25 V
FET funkció
-
Teljesítményelnyelés (max.)
54W (Tc)
Üzemi hőmérséklet
-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelés típusa
Through Hole
Beszállítói eszközcsomag
TO-220-3
Csomag / tok
TO-220-3
Alap termékszám
FQP2

Műszaki adatlap és dokumentumok

További információk

Standard csomag
1,000
Egyéb nevek
FAIFSCFQP2N60C
FQP2N60C-DG
2156-FQP2N60C-OS
FQP2N60CFS

Környezeti és Exportosztályozás

RoHS-állapot
ROHS3 Compliant
Nedvességérzékenységi szint (MSL)
Not Applicable
REACH státusz
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatív modellek

ALKATRÉSZ SZÁM
IRFBC20PBF
GYÁRTÓ
Vishay Siliconix
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
7738
DiGi RÉSZ SZÁM
IRFBC20PBF-DG
EGYSÉGÁR
0.47
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Similar
DIGI Tanúsítvány
Kapcsolódó Termékek
rohm-semi

R6050JNZ4C13

MOSFET N-CH 600V 50A TO247G

onsemi

FQD6N50CTM_F080

MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK

onsemi

HUFA76437P3

MOSFET N-CH 60V 71A TO220-3

infineon-technologies

BSP298L6327HUSA1

MOSFET N-CH 400V 500MA SOT223-4