Gyártó Termékszám:
FQP10N20
Product Overview
Gyártó:
onsemi
DiGi Electronics Cikkszám:
FQP10N20-DG
Leírás:
MOSFET N-CH 200V 10A TO220-3
Részletes leírás:
N-Channel 200 V 10A (Tc) 87W (Tc) Through Hole TO-220-3
Készlet:
12846582
Ajánlatkérés
Mennyiség
Minimum 1
Minimum 1
(*) kötelező
24 órán belül válaszolunk Önnek
24 órán belül válaszolunk Önnek
KÜLDÉS
FQP10N20 Műszaki jellemzők
Kategória
FET-ek, MOSFET-ek, Egyszerű FET-ek, MOSFET-ek
Gyártó
onsemi
Csomagolás
-
Sorozat
QFET®
Termék állapota
Obsolete
FET típus
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Leeresztés a forrásfeszültségig (Vdss)
200 V
Áram - folyamatos leeresztés (id) @ 25°C
10A (Tc)
Meghajtó feszültsége (Max Rds be, Min Rds be)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
360mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max) @ azonosító
5V @ 250µA
Kapu töltése (qg) (max) @ vgs
18 nC @ 10 V
VGS (max.)
±30V
Bemeneti kapacitás (Ciss) (max) @ Vds
670 pF @ 25 V
FET funkció
-
Teljesítményelnyelés (max.)
87W (Tc)
Üzemi hőmérséklet
-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelés típusa
Through Hole
Beszállítói eszközcsomag
TO-220-3
Csomag / tok
TO-220-3
Alap termékszám
FQP1
Műszaki adatlap és dokumentumok
Adatlapok
HTML Adatlap
További információk
Standard csomag
1,000
Környezeti és Exportosztályozás
Nedvességérzékenységi szint (MSL)
1 (Unlimited)
REACH státusz
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatív modellek
ALKATRÉSZ SZÁM
RCX100N25
GYÁRTÓ
Rohm Semiconductor
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
429
DiGi RÉSZ SZÁM
RCX100N25-DG
EGYSÉGÁR
0.86
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Direct
ALKATRÉSZ SZÁM
IRF630
GYÁRTÓ
Harris Corporation
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
11535
DiGi RÉSZ SZÁM
IRF630-DG
EGYSÉGÁR
0.80
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Similar
ALKATRÉSZ SZÁM
IRF630PBF
GYÁRTÓ
Vishay Siliconix
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
5461
DiGi RÉSZ SZÁM
IRF630PBF-DG
EGYSÉGÁR
0.51
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Similar
DIGI Tanúsítvány
Kapcsolódó Termékek
FDPF13N50FT
MOSFET N-CH 500V 12A TO220F
CPH3360-TL-W
MOSFET P-CH 30V 1.6A 3CPH
AOB15S65L
MOSFET N-CH 650V 15A TO263
