Gyártó Termékszám:
FQI12N50TU
Product Overview
Gyártó:
onsemi
DiGi Electronics Cikkszám:
FQI12N50TU-DG
Leírás:
MOSFET N-CH 500V 12.1A I2PAK
Részletes leírás:
N-Channel 500 V 12.1A (Tc) 3.13W (Ta), 179W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Készlet:
12849571
Ajánlatkérés
Mennyiség
Minimum 1
Minimum 1
(*) kötelező
24 órán belül válaszolunk Önnek
24 órán belül válaszolunk Önnek
KÜLDÉS
FQI12N50TU Műszaki jellemzők
Kategória
FET-ek, MOSFET-ek, Egyszerű FET-ek, MOSFET-ek
Gyártó
onsemi
Csomagolás
-
Sorozat
QFET®
Termék állapota
Obsolete
FET típus
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Leeresztés a forrásfeszültségig (Vdss)
500 V
Áram - folyamatos leeresztés (id) @ 25°C
12.1A (Tc)
Meghajtó feszültsége (Max Rds be, Min Rds be)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
490mOhm @ 6.05A, 10V
vgs(th) (max) @ azonosító
5V @ 250µA
Kapu töltése (qg) (max) @ vgs
51 nC @ 10 V
VGS (max.)
±30V
Bemeneti kapacitás (Ciss) (max) @ Vds
2020 pF @ 25 V
FET funkció
-
Teljesítményelnyelés (max.)
3.13W (Ta), 179W (Tc)
Üzemi hőmérséklet
-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelés típusa
Through Hole
Beszállítói eszközcsomag
TO-262 (I2PAK)
Csomag / tok
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Alap termékszám
FQI1
Műszaki adatlap és dokumentumok
Adatlapok
HTML Adatlap
További információk
Standard csomag
1,000
Környezeti és Exportosztályozás
Nedvességérzékenységi szint (MSL)
1 (Unlimited)
REACH státusz
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatív modellek
ALKATRÉSZ SZÁM
IRF740ALPBF
GYÁRTÓ
Vishay Siliconix
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
865
DiGi RÉSZ SZÁM
IRF740ALPBF-DG
EGYSÉGÁR
1.19
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Similar
DIGI Tanúsítvány
Kapcsolódó Termékek
FQP16N25C
MOSFET N-CH 250V 15.6A TO220-3
AO4290A
MOSFET N-CH 100V 15.5A 8SOIC
AO4456
MOSFET N-CH 30V 20A 8SOIC
