Gyártó Termékszám:
FQE10N20LCTU
Product Overview
Gyártó:
onsemi
DiGi Electronics Cikkszám:
FQE10N20LCTU-DG
Leírás:
MOSFET N-CH 200V 4A TO126-3
Részletes leírás:
N-Channel 200 V 4A (Tc) 12.8W (Tc) Through Hole TO-126-3
Készlet:
12849223
Ajánlatkérés
Mennyiség
Minimum 1
Minimum 1
RT7g
(*) kötelező
24 órán belül válaszolunk Önnek
24 órán belül válaszolunk Önnek
KÜLDÉS
FQE10N20LCTU Műszaki jellemzők
Kategória
FET-ek, MOSFET-ek, Egyszerű FET-ek, MOSFET-ek
Gyártó
onsemi
Csomagolás
-
Sorozat
QFET®
Termék állapota
Obsolete
FET típus
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Leeresztés a forrásfeszültségig (Vdss)
200 V
Áram - folyamatos leeresztés (id) @ 25°C
4A (Tc)
Meghajtó feszültsége (Max Rds be, Min Rds be)
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
360mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (max) @ azonosító
2V @ 250µA
Kapu töltése (qg) (max) @ vgs
19 nC @ 5 V
VGS (max.)
±20V
Bemeneti kapacitás (Ciss) (max) @ Vds
490 pF @ 25 V
FET funkció
-
Teljesítményelnyelés (max.)
12.8W (Tc)
Üzemi hőmérséklet
-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelés típusa
Through Hole
Beszállítói eszközcsomag
TO-126-3
Csomag / tok
TO-225AA, TO-126-3
Alap termékszám
FQE1
További információk
Standard csomag
60
Környezeti és Exportosztályozás
Nedvességérzékenységi szint (MSL)
1 (Unlimited)
REACH státusz
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Tanúsítvány
Kapcsolódó Termékek
FQPF3P50
MOSFET P-CH 500V 1.9A TO220F
FDPF8N50NZ
MOSFET N-CH 500V 8A TO220F
AON6362
MOSFET N-CH 30V 27A/60A 8DFN
