Gyártó Termékszám:
FQD2N80TM
Product Overview
Gyártó:
onsemi
DiGi Electronics Cikkszám:
FQD2N80TM-DG
Leírás:
MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK
Részletes leírás:
N-Channel 800 V 1.8A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Készlet:
12839819
Ajánlatkérés
Mennyiség
Minimum 1
Minimum 1
(*) kötelező
24 órán belül válaszolunk Önnek
24 órán belül válaszolunk Önnek
KÜLDÉS
FQD2N80TM Műszaki jellemzők
Kategória
FET-ek, MOSFET-ek, Egyszerű FET-ek, MOSFET-ek
Gyártó
onsemi
Csomagolás
-
Sorozat
QFET®
Termék állapota
Obsolete
FET típus
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Leeresztés a forrásfeszültségig (Vdss)
800 V
Áram - folyamatos leeresztés (id) @ 25°C
1.8A (Tc)
Meghajtó feszültsége (Max Rds be, Min Rds be)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.3Ohm @ 900mA, 10V
vgs(th) (max) @ azonosító
5V @ 250µA
Kapu töltése (qg) (max) @ vgs
15 nC @ 10 V
VGS (max.)
±30V
Bemeneti kapacitás (Ciss) (max) @ Vds
550 pF @ 25 V
FET funkció
-
Teljesítményelnyelés (max.)
2.5W (Ta), 50W (Tc)
Üzemi hőmérséklet
-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelés típusa
Surface Mount
Beszállítói eszközcsomag
TO-252AA
Csomag / tok
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Alap termékszám
FQD2N80
Műszaki adatlap és dokumentumok
Adatlapok
HTML Adatlap
További információk
Standard csomag
2,500
Egyéb nevek
FQD2N80TMDKR
FQD2N80TMCT
FQD2N80TMTR
Környezeti és Exportosztályozás
RoHS-állapot
ROHS3 Compliant
Nedvességérzékenységi szint (MSL)
1 (Unlimited)
REACH státusz
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatív modellek
ALKATRÉSZ SZÁM
STD7NM80
GYÁRTÓ
STMicroelectronics
RENDELKEZÉSRE ÁLLÓ MENNYISÉG
4929
DiGi RÉSZ SZÁM
STD7NM80-DG
EGYSÉGÁR
1.69
HELYETTESÍTÉS TÍPUS
Similar
DIGI Tanúsítvány
Kapcsolódó Termékek
FQPF7P20
MOSFET P-CH 200V 5.2A TO220F
FDP8030L
MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
NVD6416ANLT4G-001-VF01
MOSFET N-CH 100V 19A DPAK
